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用最小二乘法对渗硅TiAl基合金在900、1000、1100和1200 ℃的循环氧化数据进行了拟合.结果表明:渗硅TiAl基合金900 ℃氧化在所测试的118 h内氧化动力学曲线呈抛物线规律;1000 ℃氧化在0~50 h之间呈抛物线型规律,50~118 h之间呈直线型氧化规律;1100 ℃氧化在0~4 h之间呈抛物线型规律,4~8 h之间呈直线型氧化规律,8~16 h呈二次型加速氧化规律,16 h出现剥落现象;1200 ℃循环氧化在0~4 h呈二次型加速氧化规律,4 h后出现剥落现象.相应的氧化速率常数为:900 ℃时Kp≈4.924×10-5 mg2cm-4h-1,1000 ℃时Kp≈7.778×10-5 mg2cm-4h-1,1100 ℃时Kp≈9.392×10-2 mg2cm-4h-1.并对渗硅层在温度超过1000 ℃后的氧化机制进行了初步探讨. 相似文献
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