添加稀土Nd改善金刚石/铜复合材料界面

目的添加稀土Nd改善金刚石/铜复合材料界面间的缺陷,抑制金刚石与铜之间的弱润湿性,增强复合材料的界面结合。方法采用放电等离子烧结(SPS)技术制备含有不同质量分数Nd的镀钛金刚石/铜复合材料,采用扫描电子显微镜观察界面处的微观形貌,采用X射线衍射仪和X射线能谱仪分析界面处组织,采用排水法测试复合材料的密度和致密度。结果添加稀土Nd后,金刚石-铜两相界面间促生了Cu_5Nd、NdCu_2、Cu_3Ti等相。界面间的Cu_5Nd、NdCu_2、Cu_3Ti、TiC填补了镀钛金刚石/铜复合材料界面处原有的空隙、孔洞等缺陷。未添加稀土Nd的镀钛金刚石/铜复合材料的密度为4.589 g/cm~3,致密度为81%;添加3wt%的Nd元素后,镀钛金刚石/铜复合材料的密度和致密度分别达到了5.569 g/cm~3和98%,密度较未添加Nd的复合材料提升了21%。随着Nd含量的增加,金刚石-铜界面间的缺陷逐渐减少,界面结合效果逐渐转好。结论稀土Nd极大地改善了镀钛金刚石/铜复合材料两相界面处的缺陷,很好地修饰了原本润湿性较差的金刚石-铜两相界面。添加Nd元素后,复合材料两相界面结合紧密。     

基于PECVD方法制备的透明硅氧烷(SiOxCyHz)阻隔薄膜特性研究

柔性、透明的高阻隔性薄膜在有机太阳能薄膜电池、柔性有机发光二极管、电子纸和真空绝热板等领域都有需求.采用对电极辊结构的等离子体增强化学气相沉积方法,卷对卷的方式在聚酿(PET)基膜上,以硅醚(HMDSO)为单体,氧气(O2)为反应气体,制备了柔性硅氧烷(SiOxCyHz)薄膜.研究了膜厚,氧气/单体比例、压力等参数对透...     

航天器柔性热控薄膜研究现状

柔性热控薄膜材料广泛应用于各种航天器平台,其性能对维持航天器正常工作环境至关重要.本文针对空间热控技术发展要求,综述了国内外柔性热控薄膜材料的技术指标以及应用现状.介绍了国内外各种航天器上普遍应用的一次表面镜、二次表面镜、腐蚀防护膜和热控带等柔性热控材料的工作原理及应用范围,并对国内外典型柔性热控产品性能进行了对比.并介绍了相变热控材料、CCAG热控薄膜等新型智能柔性热控材料的研究情况.     

氧离子能量对离子束辅助沉积Al2O3薄膜的结构及光学性能的影响

利用氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术在聚酰亚胺基底上沉积Al2O3薄膜。这项技术在溅射高纯铝靶材的同时利用低能氧离子进行氧化来控制薄膜的化学配比。研究了薄膜沉积过程中离子束辅助的作用以及离子束放电电压对Al2O3薄膜的化学成分、结构、表面形貌、光学性能以及沉积速率的影响。结果发现,离子束放电电压对薄膜的化学成分具有显著影响,当电压增加到200 V,薄膜已基本达到完全化学计量比且薄膜为非晶结构;薄膜表面粗糙度随着离子束放电电压的增加而减小,当电压达到300V时,薄膜具有最小的表面粗糙度;通过对Al2O3薄膜透射谱的测量,分析薄膜的光学特性,获得了薄膜的光学常数随离子束放电电压的变化规律,发现氧离子束辅助沉积的薄膜具有较高的折射系数和较低的消光系数;另外,薄膜的沉积速率在电压增加到300V时达到最大值70 nm/min,是未采用离子束辅助时沉积速率的5倍。     

量子点膜用高阻隔膜制备技术研究进展

量子点膜用高阻隔膜产品是量子显示封装技术的关键产品,高阻隔膜的制备技术决定着阻隔膜产品性能特性.通过分析量子点膜用高阻隔膜产品性能指标,总结热蒸发、化学气相沉积、原子层沉积等制备柔性高阻隔薄膜的方法、原理、特点及应用,展望量子点膜用阻隔膜产品的发展前景.研究表明,量子点膜用高阻隔薄膜制备工艺趋向于有机/无机多层结构的超高阻隔复合薄膜,是快速、高效、批量化制备量子点膜用高阻隔封装薄膜的发展趋势.     

微型拉瓦尔喷管的流体仿真分析和优化

采用Fluent软件对微型模块化液化气微推进系统的拉瓦尔喷管进行了流体仿真,得到了喷管各个尺寸因素对有效比冲和推力的影响曲线关系,并给出了喷管的最终优化结果。喷管有五个尺寸因素:入口直径、喉部直径、出口直径、收缩段长度和扩张段长度。其中,喉部直径越大,推力越大,有效比冲越小;出口直径越大,推力和有效比冲越大;收缩段长度较小时,对有效比冲影响较大,对推力几乎无影响;入口直径和扩张段长度对推力和有效比冲的影响很小可忽略。     

用于柔性电子器件的有机/无机薄膜封装技术研究进展

有机/无机薄膜封装技术被广泛用于有机发光二极管(OLED)、量子点显示及有机光伏等领域,是一种新型的柔性封装技术。综述近年来有机/无机薄膜封装技术的发展趋势,首先概述了传统硬质盖板封装方式与薄膜封装方式的发展及其优缺点。其次,系统地总结了有机/无机薄膜的制备方法,如原子层沉积、等离子体化学气相沉积等,详细阐述了不同制备方法的原理及其应用。再次,讨论了薄膜的微观缺陷、内应力,以及材料界面工程对有机/无机薄膜封装性能的影响,分析总结了有机/无机封装薄膜制备的技术要点,如采用基底表面预处理、引入中性层、调节层间应力等方式获得优质的封装薄膜。最后,探究了有机/无机封装薄膜的内在阻隔机理,提出气体在有机/无机薄膜中的传输方式以努森扩散为主,并总结了提高薄膜封装的策略,即延长气体扩散路径、“主动”引入阻隔基团及薄膜表面改性。提出了未来薄膜封装技术面临的问题,拟为柔性电子器件封装技术的发展提供一定参考。     

Se离子束辅助沉积CIS过程的数值分析

通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术,在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程,建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上,以离子注入深度效应作为研究对象,从扩散均匀性角度进行模拟计算,并与传统气相原子沉积方法进行比较。通过比较分析,计算出Se扩散均匀性为90%时,采用离子束辅助沉积所需的衬底温度明显低于气相原子沉积所需的衬底温度。     

Effects of defect states on the performance of CuInGaSe2 solar cells

Device modeling has been carried out to investigate the effects of defect states on the performance of ideal CulnGaSe2 （CIGS） thin film solar cells theoretically. The varieties of defect states （location in the band gap and densities） in absorption layer CIGS and in buffer layer CdS were examined. The performance parameters： open-circuit voltage, short-circuit current, fill factor, and photoelectric conversion efficiency for different defect states were quantitatively analyzed. We found that defect states always harm the performance of CIGS solar cells, but when defect state density is less than 10 14 cm-3 in CIGS or less than 10 18 cm-3 in CdS, defect states have little effect on the performances. When defect states are located in the middle of the band gap, they are more harmful. The effects of temperature and thickness are also considered. We found that CIGS solar cells have optimal performance at about 170 K and 2 μm of CIGS is enough for solar light absorption.