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在酸性体系中采用阴极扫描伏安和计时电流等电化学测试方法,研究添加十二烷基硫酸钠(SDS)对铜电沉积过程的影响机理。结果表明:SDS的添加使沉积电位正移,降低了阴极极化。SDS浓度低于临界胶束浓度1g/L时,铜的成核弛豫时间延长,形核速率降低。SDS浓度高于临界胶束浓度时,形成SDS球状胶束,铜的成核弛豫时间减少,形核速率加快。铜晶核形成过程符合Scharitker?Hill 三维成核/生长机制,当SDS为1g/L时,在-0.2V的低过电位区,铜结晶按渐进成核方式进行,在-0.23--0.28V的高过电位区,铜结晶按瞬时成核方式进行。而当SDS为0.5g/L时,铜在-0.2V--0.25V的低电位区和在-0.28V的高电位区均符合渐进成核。 相似文献
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