MgZnO薄膜的准分子激光晶化（英文）

利用KrF准分子激光,在室温下对PLD法制备的MgZnO薄膜进行激光退火处理,研究了激光能量密度为50~167 mJ/cm~2时对薄膜结晶性能的影响,并用XRD、AFM、透射光谱等测试手段对薄膜进行表征。结果表明,在能量密度为125 mJ/cm~2时,薄膜具有最佳结晶效果。由于激光具有良好的可控性,可以实现区域选择性退火。本实验为维持较低的基底温度下实现MgZnO薄膜的退火处理提供了参考。     

基于PLD法制备的MgZnO薄膜紫外传感器的研究

用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300 ℃～600℃制备了MgZnO薄膜.由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600 ℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量.在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,...     

温度对PLD法制备CIGS薄膜性能的影响

利用脉冲激光沉积（PLD）法在40~600 ℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒（CIGS）薄膜。利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征。结果表明,薄膜都以（112）择优取向生长,在40~400 ℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不明显;温度达到600 ℃时,结晶质量、晶粒尺寸及薄膜的红外透光率等显著增加。认为这主要与Ga元素的扩散受温度的影响有关,温度越高,Ga元素有足够的能量进行充分扩散,并完成晶体结构重组,同时分析了Se元素含量随温度变化的原因。