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1.
简要报道了一维磁性光子晶体增强的法拉第旋光效应的理论与实验研究。总结了缺陷、空腔、带边、表面态等在一维光子晶体内引起的局域模式,说明了增强的法拉第旋光效应与局域模式之间的关系。介绍了增强的法拉第旋光效应在光学器件功能单元中的应用。  相似文献   
2.
传统的数字滤波器设计使用繁琐的公式计算,尤其是设计高阶滤波器时工作量很人.利用matlab数字信号处理(dsp)工具箱(signal processing toolbox)可以快速有效的实现数字滤波器的设计与仿真.MATLAB软件的频谱分析和滤波器的分析设计功能很强,从而使数字信号处理变得十分简单.本文比较了设计IIR数字滤波器的两种方法,介绍了利用双线性变换法设计IIR滤波器的原理、步骤,并在matlab下进行了仿真.  相似文献   
3.
采用高温固相法合成锂离子电池正极材料LiFe0.9Ni0.1PO4,研究了反应条件对合成产物的影响. 利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对所得样品的晶体结构、表面形貌等进行了表征. 结果表明反应温度和时间对LiFe0.9Ni0.1PO4晶体结构及材料性能均有较大影响,其中650℃下焙烧20h合成出的样品电化学性能最佳;在20mA/g 的电流密度下进行恒流充放电时,首次放电比容量可达145mA·h/g,循环30次后比容量仍为135mA·h/g,容量衰减仅为6.9%.  相似文献   
4.
反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用反应磁控溅射加真空退火分别在玻璃和Si(100)基底上制备氧化钒薄膜,利用X射线衍射和原子力显微镜分析其物相和表面形貌。结果表明:氧气体积分数低于15%时,玻璃上薄膜为低价钒氧化物,Si(100)A2薄膜为V2O5(001)织构和V2O3(104)织构,高于20%时两基底上薄膜均为V2O5;玻璃上V2O5薄膜500℃下退火3h生成VO2,退火后薄膜粗糙度明显下降;Si(100)上V2O5薄膜500℃下退火2h生成V2O3(104)织构,退火后薄膜粗糙度变化不大。  相似文献   
5.
磁控溅射氧化钒薄膜的相组成及性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用反应磁控溅射法在玻璃基底上沉积氧化钒薄膜,分别利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和红外光谱仪分析样品的物相、表面形貌和红外光透过率。结果表明:氧气体积分数低于15%时,薄膜为低价钒氧化物,高于20%时薄膜为V2O5;氧气体积分数等于15%时,溅射功率由150W增加到200W,薄膜中钒的价态变低;当溅射功率为250W时,薄膜物相变成VO2。随着沉积时间从30min增加到60min,原子力显微分析显示VO2颗粒尺寸从约200nm增加到400nm;红外光透过率范围从55%~65%减小到45%~55%。  相似文献   
6.
通过中性盐雾腐蚀试验研究了低膨胀高温合金GH907基体上采用低压等离子喷涂制备的NiCoCrAlY涂层和NiCr涂层的抗腐蚀性能,并对其腐蚀形貌与产物进行了分析.结果表明:盐雾腐蚀500 h后,NiCoCrAlY涂层表面出现了失光变色,在表面出现了几个无破坏性的腐蚀坑,涂层表面大部分仍保持较好的完整性,其腐蚀等级仅下降到9级;而NiCr涂层的表面出现了较多的腐蚀斑点,涂层的完整性已经被破坏,涂层表面产生了腐蚀裂纹,其腐蚀等级下降到4级;腐蚀产物主要为镍、铁、钴等的氧化物,NiCoCrAlY涂层表现出较强的抗中性盐雾腐蚀性能.  相似文献   
7.
论述了镁-钙-锌-铝四元合成类水滑石中含量相差悬殊的4种金属元素含量的测定方法:第一份试液,以氟化铵掩蔽铝、镁、钙离子后,用乙二胺四乙酸二钠(EDTA)标准溶液滴定锌离子;第二份试液,用缓冲溶液调节pH为3.5,加过量EDTA煮沸处理,再调节pH为4.2,促使铝离子和锌离子全部与EDTA络合,以铜离子标准溶液滴定剩余的EDTA后,用取代络合滴定法测定铝离子;第三份试液,用小体积沉淀法处理,形成碳酸钙和氢氧化镁沉淀,与溶于水的偏锌酸根(ZnO2-2)和偏铝酸根(AlO-2)分离,再使碳酸钙与氢氧化镁溶于盐酸溶液,用EDTA滴定钙-镁总量;向第四份钙-镁溶液中加入乙二醇二乙醚二胺四乙酸钡(Ba-EGTA)-硫酸钠溶液掩蔽钙离子,用EDTA标准溶液滴定镁离子,以差减法计算钙离子含量.该法准确度和精密度均较高,能满足工业分析要求.  相似文献   
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