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采用热力学方法对含钛合金焊丝钢中氧化铝和氧化钛夹杂物的形成进行了理论计算.利用扫描电镜对钢中夹杂物的性质进行了分析.结果表明:TiO2-Al2O3和Ti2O3-Al2O3竞争氧化反应的临界条件分别为[%Ti]/[%Al]4/3=84.49和[%Ti]/[%Al]=7.46;当[%Ti]/[%Al]4/3< 84.49和[%Ti]/[%Al]<7.46时,钢中优先生成Al2O3,反之生成Ti2O3或TiO2.当钢中w(Alt)由0.036 0%降至0.004 6%,钢中夹杂由Al2O3向Al2O3·TiOx、TiOx型转变,与理论计算相符.通过控制钢中w(Alt)<0.005 0%和软吹工艺参数,可有效减少Al2O3夹杂数量,连浇炉数提高至6炉. 相似文献
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LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。 相似文献
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概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0 μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50 S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率ITHz下能输出功率1~50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。 相似文献
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运用试验和数值模拟相结合的方法研究了273氧枪喷头射流的空气动力学特性,结果表明,试验喷头的合理吹氧压力为0.9MPa左右,合理的操作枪位为1600~2000mm;喷头的射流中心线与喷孔中心线偏移距离均小于等于30mm,可以满足使用要求;枪位对射流截面面积的影响程度大于压力的影响,枪位是控制熔池反应速度的有效手段. 相似文献
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本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径r_(tip)、锥体半角度θ_(1/2)、栅孔半径r_g和锥体高度h的依赖关系。栅压V_g=100V,锥体发射阴极对曲率半径r_(tip)、栅孔半径r_g的电流灵敏度分别是3.7×10 ̄7A/nm和1.1×10 ̄3A/μm。 相似文献
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