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桐子林水电站地下连续墙作为导流明渠下游护坦区底板及导墙的基础在中国尚属首次,是水利水电行业在深厚覆盖层基础处理措施上一次创新。文章主要介绍了桐子林水电站地下连续墙的安全监测设计与初期监测成果。 相似文献
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C4F7N因其优异的绝缘和环保特性成为最有潜力替代SF6气体的绝缘介质。分析阐述了C4F7N-CO2混合气体的基础绝缘性能和在负荷开关中的灭弧性能,总结了不同电场类型、气压、混合比、氧气含量对C4F7N-CO2混合气体基础绝缘性能的影响,分析了不同配比的C4F7N-CO2混合气体在压气式、去离子栅式和磁吹式等3种不同灭弧结构负荷开关上的燃弧特性。研究结论为C4F7N-CO2混合气体作为绝缘和灭弧介质应用于环网柜提供了参考。最后,在现有的研究基础上提出未来C4F7N-CO2混合气体应用于环网柜中的研究方向,一是对现有的开关结构和混合气体配比进一步优化,二是重点关注C4F 相似文献
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桐子林水电站地下连续墙作为导流明渠下游护坦区底板及导墙的基础在中国尚属首次,是水利水电行业在深厚覆盖层基础处理措施上一次创新。文章主要介绍了桐子林水电站地下连续墙的安全监测设计与初期监测成果。 相似文献
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空间应用的集成电路受到辐射效应的影响,会出现瞬态干扰、数据翻转、性能退化、功能失效甚至彻底毁坏等问题.随着器件特征尺寸进入到100nm以下(以下简称纳米级),这些问题的多样性和复杂性进一步增加,单粒子效应成为集成电路在空间可靠性应用的主要问题,给集成电路的辐射效应评估和抗辐射加固带来了诸多挑战.本文以纳米级CMOS集成电路为研究对象,结合近年来国内外的主要技术进展,介绍研究团队在65nm集成电路单粒子效应和加固技术方面的研究成果,包括首次提出的单粒子时域测试和分析方法、单粒子多节点翻转加固方法和单粒子瞬态加固方法等. 相似文献