射频溅射—热处理法研制SnO2薄膜

本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅射工艺制备 β-Sn膜;然后采用在550～650℃温度条件下保温2～3h的热处理工艺制备出SnO_2薄膜。X-射线衍射实验结果表明,在该工艺条件下可以得到非常细小均匀的纳米级SnO_2晶体结构,为薄膜型SnO_2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。     

矩形反应器中硅外延生长速率的估算

本文对硅外延常用的卧式矩形反应器中的流速分布进行了分析,用流体力学方程的精确解代替管内流速为抛物线分布的近似解,作出了硅外延生长速率纵向和横向分布的估算,计算值与实测结果吻合较好。     

制备贮氢电池正极的工艺研究

采用正交试验方法研究了制备贮氢电池正极片的配方、导电剂、掺杂剂、添加剂、粘结剂以及制片压力等多种工艺因素对贮氢电池性能的影响,得到了制备贮氢电池正极片的最佳工艺条件：正极活性物质中添加３．０％～４．０％添加剂、１．０％～２．０％导电剂、２．０％～３．０％掺杂剂、复合粘结剂比例ＣＭＣ：ＰＴＦＥ＝０．２～０．６ ：１ ,制片压力为１０～１２ＭＰａ。研究发现：添加一定量的某 些掺杂剂如氧化钴等,可以有效地防止镍电极出现膨胀、脱落等现象,从而提高贮氢电池的循环寿命及自放电等性能。     

实现SOI结构的ELO方法中SiO_2上Si多晶核的形成与抑制

本文从分析Si在SiO_2上成核的一般过程出发,利用新的成核理论,分析出影响成核的重要因素是氢吸附;并着重针对ELO过程的特点,通过大量实验研究了各种条件对成核的影响,找到了既能完全抑制多晶成核又能实现侧向生长的最佳工艺条件.根据实验中测得的临界成核时间及沉积自由区宽度,采用间歇生长技术在20μm宽的SiO_2条上完全抑制了多晶成核,而加入 Br_2的生长/腐蚀循环工艺则在 30μm宽的SiO_2上完全抑制了多晶成核,为获得高质量的SOI材料打下了良好的基础.     

MH-Ni 电池的循环寿命研究

采用正交试验方法研究了ＭＨ－Ｎｉ电极的配方、导电剂、添加剂、制片压力、粘结剂等夺种工艺因素对电池循环寿命的影响,并探讨了负极配方、充放电制度、电极极化及镍电极等影响电池循环寿命的原因。研究结果表明,当采用１０．０‰的导电剂、５．０‰的添加剂、ＣＭＣ∶ＰＶＡ＝１．５∶１及５ＭＰａ的制片压力等工艺条件时,制备出的ＭＨ－Ｎｉ电池具有最好的循环寿命,经１Ｃ大电流充放电１２０次后电池的容量仅损失２．５‰。大电流充放电条件下电极极化、镍电极的过早失效以及电解液的大量损耗是导致ＭＨ－Ｎｉ电池循环寿命下降的主要原因。     

射频溅射Sn薄膜的工艺研究

采用正交试验方法研究了射频溅射的工艺因素对Ｓｎ膜形成过程的影响,得到了射频溅射制备Ｓｎ膜新工艺的最佳条件。Ｘ－射线衍射及ＳＥＭ实验结果表明在该工艺条件下得到的Ｓｎ膜为非常细小均匀的β－Ｓｎ的晶体结构。     

SiCl_4氢还原低压硅外延生长的碳沾污

关于硅材料制备过程中碳沾污的问题,近年来引起了人们极大的关注.我们在研究Sicl_4氢还原低压硅外延生长时发现,外延层的碳沾污要比常压外延生长严重.不解决这个问题,将影响低压硅外延生长技术的正常使用和推广.为此,我们对SiCl_4氢还原低压硅外延生长过程中碳沾污的问题进行了研究.     

MH/Ni电池充放电过程中的气体消除研究

在电解池中,通过一个阀门的开、关不同选择方式,比较了MH／Ni电池在敞开和封闭状态时的充放电过程及其放电容量变化,并根据充放电过程中直接观察到电解地内的氧气体积量可以判断MH电极与氧气的复合活性。     

贮氢电池的活化工艺研究

研究了贮氢电池活化工艺与电池初始容量、充放电比率、电池极化、循环寿命之间的关系。结果表明：在设计贮氢合金时适当添加预防裂纹形成和裂纹扩展的合金元素,有利于提高贮氢电池的活化性能。采用适当的活化工艺可以使贮氢电池达到最佳的放放电效率。在研究的最佳活化工艺：活化充电电流为Ic0．4C5A,活化时间为3．0h,放电电流为Id＝0．2C5A,放电终止电压为1．0V,活化次数为6次,经此工艺活经的贮氢电池的容量为246．9h/g,活化时的充放电比率为89％,经过450次充放电循环后,贮氢电池的容量下降28．1％。