模板法构筑氧化钼纳米棒阵列的结构与场发射性能研究

以聚碳酸酯(PC)膜为模板,结合溶胶凝胶法制备了直径为200nm的非晶态氧化钼纳米棒阵列;390℃热处理1h后转变为晶型良好且高度有序的MoO3·2H2O纳米棒阵列.利用XRD、TG-DSC、SEM和HRTEM测试手段分析产物的形貌与结构,同时发现该阵列具有较好的场发射性能.     

脉冲电镀镍纳米晶基板上碳纳米管和碳纳米纤维的火焰法合成

提出了一种利用脉冲电镀法在金属基板表面沉积一层具有催化活性的镍纳米晶,再将该基板放入乙醇火焰中合成碳纳米管(CNTs)和碳纳米纤维(CNFs)的方法.利用光学显微镜和X射线衍射仪(XRD)表征了镀层镍纳米晶的形貌和晶格特征,利用透射电镜(TEM)表征了碳纳米管的微观结构.实验研究了基板材料和电镀时间等因素对碳纳米管和碳纳米纤维合成的影响;初步讨论了其生长机理.     

一维CuO纳米针材料的直径可控制备研究

采用脉冲电沉积技术在金属Cu基板表面电沉积纳米晶Cu薄膜，在空气中采用热氧化法制备出一维金属CuO纳米针材料。实验研究了脉冲电沉积参数（输出脉冲频率f和占空比r）对电沉积纳米晶的微结构和晶粒度的影响，发现一维CuO纳米针的根部直径与电沉积纳米晶Cu的晶粒度完全一致。通过调节脉冲电沉积参数，能控制电沉积纳米晶Cu的晶粒度，进而实现一维CuO纳米针材料的直径可控分布。     

利用电沉积铁纳米晶热氧化法制备铁氧化物纳米针研究

利用在金属基板表面电镀一层金属Fe纳米晶,然后通过热氧化法制备出了一维Fe2O3金属氧化物纳米针;利用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、超高分辨透射电镜（HRTEM）和X-射线衍射仪（XRD）等对纳米晶和纳米针的晶体结构与微观形貌等进行了表征。实验发现影响纳米针制备和形貌的主要因素有：电沉积参数、热氧化温度、热氧化气氛等。初步研究认为纳米针的生长机理为“底部扩散生长”。     

在锌纳米晶镀层上热氧化时氧化锌纳米针的形成与生长机制

Senuconductor ZnO has been widely studied as a short-wave-length light-emitting,transparent conducting and piezoelectric materials due to its wide bandgap(3.37 eV)with large exciting binding energy(60 meV)[1].There are many synthesis methods used for growing ZnO nanostructurc according to a so-called vaporliquid-solid(VLS)or vapor-solid(VS)mechanisms[2-3].     

空气中热氧化电沉积Zn纳米晶制备一维ZnO纳米针及其生长机制与场发射效应的研究

在金属基板表面电沉积一层金属Zn纳米晶，将该纳米晶置于高温炉中，通过热氧化法成功制备了一维ZnO纳米针。研究了不同的热氧化温度因素对一维ZnO纳米针的制备及其形貌的影响。在本方法中，一维ZnO纳米针材料对应于初始电沉积层的Zn纳米晶颗粒，这与其他方法中ZnO的生长机制不同，可以认为本方法的ZnO的生长遵从自催化扩散机制。同时，研究了一维ZnO纳米针薄膜的场发射效应。