形成SOI结构的ELO技术研究

本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm.     

钨条中掺杂泡的研究

研究了钨条中掺杂泡与钾含量的关系及其对钨条熔断电压的影响。结果表明,垂熔钨条中掺杂泡的面密度随钾含量的增加而增加,当钾含量小于70ppm时尤为明显;微量钾在垂熔过程中形成大量掺杂泡,使钨条有效导电面积减小;第一次还原温度对钨条的熔断电压值有显著影响,这是钨粉原始粒度和钨条中钾含量共同作用的结果,钨粉的费氏粒度、钾含量及熔断电压三者的关系是:V=9.601+6.856×10~(-2)+2.086F;通过热力学计算,认为高温状态下掺杂泡内的钾可能以双原子(K_2)气态存在。     

兰钨相组成对钨粉粒度的影响

只含铵钨青铜(ATB)和W_(20)O_(53)两相的兰钨在一定的工艺条件下被还原成钨粉。兰钨中ATB(或W_(20)O_(53))的含量对钨粉粒度有明显的影响。兰钨中ATB含量越多,所得到的钨粉越粗。     

纳米Ni粉填料对聚硅氮烷连接SiC陶瓷接头性能的影响

研究了活性填料纳米Ni粉对陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结SiC陶瓷接头性能的影响，同时与惰性填料纳米SiC粉及活性填料微米Ni粉进行了对比，指出填料的种类及颗粒度对连接强度均有较大影响。活性填料纳米Ni粉的加入可减少连接层内的孔隙和裂纹，同时还可以与聚硅氮烷的裂解产物及母材发生反应，促进聚硅氮烷的裂解，从而降低连接温度，提高连接强度。当连接温度为1200℃时，其最大抗弯强度达到251．6MPa。微观研究表明，连接层结构较为均匀致密，且与母材间界面结合良好。惰性填料纳米SiC粉对连接强度没有明显改善。微米Ni粉因不能与先驱体形成均匀的连接层而导致连接强度降低。     

采用聚硅氮烷制备SiCN泡沫陶瓷

采用含乙烯基聚硅氮烷为原料，利用先驱体转化法与有机泡沫浸渍法相结合制备SiCN泡沫陶瓷。通过聚氨酯泡沫及聚硅氮烷的热分析制定温度曲线，研究了裂解温度、浸渍／裂解增强处理次数等工艺参数对泡沫陶瓷抗压强度的影响，采用XRD、SEM及EDS对SiCN泡沫陶瓷进行了物相、微观结构及成分分析。结果表明，在1000～1400℃温度范围内，随着温度的升高，泡沫陶瓷的抗压强度先升高后降低，增强处理对提高抗压强度有明显效果，当裂解温度为1300℃，经二次增强处理后，试样的抗压强度达11．5MPa。XRD研究表明，随着温度的逐步升高，聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构分析显示，SiCN泡沫陶瓷呈三维网状结构，具有良好的贯通性，开孔气孔率达到85％。     

还原氧化石墨烯增强水泥基复合材料微观结构及力学性能

采用水热还原法制备了不同还原程度的还原氧化石墨烯(RGO),并将其添加到水泥浆体中,制得石墨烯增强水泥基复合材料。采用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、力学性能测试仪、扫描电子显微镜(SEM)对氧化石墨烯(GO)还原程度及水泥基复合材料的力学性能和微观结构进行测试。结果表明,在120℃水热条件下,控制不同还原时间可以得到不同还原程度的RGO;随着GO还原程度的提高,复合材料力学强度不断增加;RGO可使水泥更加密实,降低了水泥浆体的孔隙率,对水泥基复合材料起到增强增韧的作用。     

脱硫石膏复合胶凝材料及其激发效果研究

采用脱硫石膏为主要原料,制备了脱硫石膏-水泥-粉煤灰复合胶凝材料,考察了激发剂对其改性效果及显微结构特征。结果显示掺52%脱硫石膏,31%水泥,12%粉煤灰,5%激发剂时,复合胶凝材料后期强度较高,其28d强度可达到64.6MPa。14～28d试样抗压强度呈急剧增加趋势,其原因可能是后期水泥水化和粉煤灰二次水化所致。在脱硫石膏-水泥体系中,存在较多物理键和少量化学键,而掺加Al2O24-离子激发水泥和粉煤灰可形成致密凝聚-结晶复合结构。     

工艺参数对SiC陶瓷热压反应连接强度的影响

采用Ag粉和Ti粉作为焊料，对再结晶SiC陶瓷进行热压反应连接。研究了2种工艺，其中工艺1与传统的扩散焊工艺相似，即分别在不同的焊接温度下保温一定的时间；而工艺2则是首先在某一较高温度下进行短时间的保温，以利于Ti与SiC母材发生适度的界面反应，促进界面结合，同时液相银的出现将显著缓解焊接应力，随后在另一相对较低的温度下保温较长时间，以利于Ag—Ti金属间化合物的形成，有利于提高接头的焊接强度和工作温度。结果表明，采用工艺2获得的接头抗弯强度较高，达到SiC陶瓷母材强度的73．4％。微观结构研究表明，在界面处生成了反应层，焊料产物主要由两种相相间组成。EDX分析结果表明，界面处发生了元素的互扩散。     

脉冲高电压液体灭菌技术的研究

介绍了脉冲高电压液体灭菌的实验研究工作，研究结果表明，利用脉冲高电压可以在常温条件下１００％地杀灭液体中的细菌，对液体体食品还能保持其色泽，品味不变、维生素、氨基酸等营养成份不受破坏，还对灭菌机理作了分析和探讨。