远红外日用陶瓷釉的研究

通过在普通日用陶瓷釉中掺入远红外陶瓷粉,研究了远红外陶瓷粉对釉面质量(白度、光泽度、显微硬度)及远红外陶瓷釉辐射率的影响,探讨了不同分散剂对远红外陶瓷粉在基釉中的分散情况及其对陶瓷釉显微结构的影响。制备出了符合国家日用瓷质量标准、且具有高的远红外辐射性能的远红外日用陶瓷釉。     

(1-x)CaTiO3-xLi1/2Sm1/2TiO3陶瓷的微波介电性能研究

采用固相法制备了(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3系列微波介质陶瓷材料,研究了该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能之间的关系.结果表明:在x=0.1～0.9mol范围内,(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3体系均形成了单一的斜方钙钛矿结构;x=0.1～0.5和x=0.6～0.9组分的最佳烧结温度分别为1250和1300°C;介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值、谐振频率温度系数Tf均随着x的增大而减小.当x=0.7时, 1300°C下保温5h烧结得到的材料的微波介电性能为: εr=116.5,Qf=3254GHz,Tf=42.43 ×106/°C.     

(1-x)CaTiO3-xLi1/2Sm1/2TiO3陶瓷的微波介电性能研究

采用固相法制备了(1-x)CaTiO_3-x(Li_1/2Sm_1/2)TiO3系列微波介质陶瓷材料, 研究了该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能之间的关系. 结果表明: 在x=0.1～0.9mol范围内, (1-x)CaTiO_3-x(Li_1/2Sm_1/2)TiO₃ 体系均形成了单一的斜方钙钛矿结构; x=0.1～0.5和x=0.6～0.9组分的最佳烧结温度分别为1250和1300℃; 介电常数ε_r、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值、谐振频率温度系数τ_f均随着x的增大而减小. 当x=0.7时, 1300℃下保温5h烧结得到的材料的微波介电性能为: ε_r=116.5, Qf=3254GHz, τ_f=42.43×10^-6/℃.     

合成工艺对氮化硼纳米管显微结构和性能的影响

采用无定型B粉为原料,在催化剂Fe2O3和CaO辅助作用下,控制反应气氛氨气的流量(150~200 mL/min),在1200℃下于真空管式炉中保温4 h,制备氮化硼纳米管(BNNTs)。采用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和傅里叶转换红外光谱分析(FTIR)等手段对产物的结构和形貌进行了表征,结果表明:所得产物为竹节状氮化硼纳米管(BNNTs),其晶体结构为六方氮化硼,外径约为35~100 nm,长度为数微米至数十微米。     

黑色氧化铝陶瓷制备与介电性能的研究

采用正交试验法对黑色氧化铝陶瓷实验配方进行优化;采用一次、二次合成法分别制备了黑色氧化铝陶瓷;对黑色氧化铝陶瓷进行了XRD物相分析、烧结体断面SEM分析,测试了烧结体的体积密度、体积电阻率、介电常数和介电损耗。结果表明,黑色氧化铝陶瓷最佳配方为:Al2O391wt.%、滑石2.0wt.%、Fe2O33wt.%、CoO 0.5wt.%、NiO 1wt.%、MnO22.5wt.%;一次、二次合成法制备的黑色氧化铝陶瓷的体积密度分别为3.71g/cm3、3.69g/cm3,体积电阻率分别为6.8×1012Ω·cm、7.1×1012Ω·cm,介电常数分别为18.6、18.8,介电损耗分别为0.015、0.014。     

羰基钨的应用及研究重点

羰基钨是金属钨与羰基所形成的配合物,它能在较低的温度下挥发和解离,通过控制羰基钨的热解方式、解离时间、气氛等可以制备出各种新型材料,羰基钨在新材料的合成和制备中发挥着十分重要的作用。文中介绍了利用羰基钨制备微米、纳米级粉体、薄膜、异形件的研究进展,阐述了羰基钨热解的原理,并对羰基钨在羰基钨复合膜材料、大型钨器件等方面的应用进行了展望。     

Ti(C,N)基金属陶瓷的芯-壳显微结构与性能研究

以TiC、TiN为原料,Ni、Co为粘结剂,WC、Mo2C、TaC、C、Cr3C2为添加剂,采用真空热压烧结工艺制备Ti(C,N)基金属陶瓷材料。借助于SEM、EDS和XRD分别分析其显微结构、组成和物相,并测试其性能。结果表明:按配方(质量分数,%):TiC:41.2,TiN:10,Ni:7,Co:7,Mo2C:12,WC:15,TaC:6,Cr2C3:0.8,C:1配料,在1450℃,30MPa热压制得的试样晶粒细小,具有完整的芯-壳显微结构。其主要性能为:相对密度99.12%,维氏硬度22.74GPa,断裂韧性10.1MPa·m1/2,抗弯强度1192.83MPa。     

TiCp/W金属基复合材料的制备与性能研究

采用滴定法,在偏钨酸铵（AMT）饱和溶液与碳化钛（TiC）微粉和分散剂组成的悬浮液中,滴入无水乙醇获得AMT包覆碳化钛前驱体;然后对前驱体进行高纯氢还原制备出钨包覆TiC复合粉体,对复合粉体进行了XRD物相和SEM形貌分析。结果表明,当N,N-甲基甲酰胺(DMF)和聚乙二醇(PEG)作为TiC与AMT饱和溶液的分散剂,经600 ℃保温1 h和800 ℃保温30 min H2还原,得到分散良好的类球形复合粉体。采用放电等离子体烧结（SPS）技术制得块体样品,对其进行了SEM形貌分析,并测试了其相对密度和力学性能。结果表明,在1600 ℃,保温2 min,SPS烧结后, TiC在基体中分布均匀,TiCp/W复合材料的相对密度达到94.6%,抗弯强度达到739 MPa,显微硬度达到4.86GPa,断裂韧性达到7.87MPa?m1/2。     

Ti(C,N)基金属陶瓷氧化后的显微结构与力学性能

研究了Ti(C,N)基金属陶瓷的高温抗氧化性能。采用X R D、SEM分析了样品氧化后的物相组成及显微结构,并测试了试样氧化前后的抗弯强度和维氏硬度。实验结果表明:Ti(C,N)基金属陶瓷在800℃时氧化不明显,但抗弯强度开始下降;样品在900℃时开始剧烈氧化,材料的抗弯强度呈现明显的下降趋势,试样氧化前后的硬度变化较小。随着氧化温度的升高,氧化层厚度明显增加,Ti(C,N)被氧化变成TiO 2。     

碳化硼陶瓷的烧结与应用新进展

碳化硼陶瓷具有高硬度、高弹性模量、耐磨损、耐腐蚀等优点,是一种综合性能优异的结构材料。碳化硼陶瓷可通过有效添加剂、适当的温度与压力等条件实现致密化烧结,从而提高其综合性能,因此碳化硼的致密化烧结是其关键技术。本文论述了碳化硼陶瓷致密化烧结工艺的基本原理及烧结方法,在此基础上总结了碳化硼陶瓷在陶瓷装甲、核能和耐磨技术等重要领域的应用。