对动态规划匹配算法的改进

在语音识别中,利用动态规划技术实现的非线性时间规正已得到了令人满意的结果。但是,现在应用的DP Matching(Development PlanMatching动态规划匹配)法一般都不能同时具备以下三条特征:模式可交换性、时间可逆性、与线性 匹配方法的相容性。因此算法本身的通用性、灵活性欠佳。本文基于这种情况,提出了一种新的DP—Matching法,这种方法完全具备以上三种特征。应用这种算法在计算局部距离时对加权系数有平滑作用,在实际应用中灵活性大,特别对某一发音模式需要进行分段匹配、时间可逆性匹配时,更显示出其有效性。本文首先简单阐述DP—Matching算法的基本理论,然后分析和证明了现有的DP—Matching公式的缺陷,提出并详细证明了一种新的通用型DP—Matching算法,最后得出几点结论。     

攀钢冷轧厂采用的鲁斯纳酸洗技术

介绍了攀负冷轧厂由奥地利安德里茨公司引进的酸洗机组的工艺技术、设备组成、工艺流程及设备的主要特点。     

In-Situ Nitrogen Doping of the TiO2 Photocatalyst Deposited by PEALD for Visible Light Activity

In this paper, an N-doped titanium oxide （TiO2） photocatalyst is deposited by a plasma-enhanced atomic layer deposition （PEALD） system through the in-situ doping method. X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） analysis indicates that substitutional nitrogen atoms （-395.9 eV） with 1 atom% are effectively doped into TiO2 films. UV-VIS spectrometry shows that the in-situ nitrogen doping method indeed enhances the visible-activity of TiO2 films in the 425-550 nm range, and the results of the performance tests of the N-doped TiO2 films also imply that the photocatalysis activity is improved by in-situ doping. The in-situ doping mechanism of the N-doped TiO2 film is suggested according to the XPS results and the typical atomic layer deposition process.     

中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究

采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射（ 沟道 Ｒ Ｂ Ｓ） 以及低温光荧光方法对中子辐照 Ｇａ Ａｓ 缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷 Ｇａ Ａｓ（ Ｅｖ ＋ ２００ ｍｅ Ｖ） 以及复合缺陷 Ｉ Ｇａ － Ｖ Ａｓ 。     

磷在钢回火脆性发展时的非平衡偏聚及钼的影响

用俄歇能谱仪和扫描电镜研究了中碳钢和含钼中碳钢在回火脆性发展过程中Ｐ在晶界上的偏聚。发现在４８０ ℃回火时,两种钢均在晶界出现Ｐ的浓度峰值。含钼中碳钢中的Ｍｏ 减小了晶界断裂比例,但并不改变Ｐ的浓度峰值。同时还观察了Ｓ、Ｃ、Ｍｏ 等组元在晶界的偏聚。Ｐ在晶界的浓度峰值可以用磷－空位复合体的非平衡偏聚机制加以解释。     

建筑给排水施工技术的探讨

笔者根据自身实践经验,从三个方面针对建筑的给排水施工方面谈了自己的一点体会：即给水管道的施工,排水管道的施工,w型元承口机制柔性排水铸铁管的施工方法和注意事项。     

基于心理图式的知识挖掘与创新设计——以国庆彩车设计为例

为了提高设计创新效率,本研究基于心理图式提出了国庆彩车的设计程序与方法。研究按照浅层、中层和深层的次序递进,设计心理图式划分为“造型图式”“叙事与动作图式”以及“人物和情感图式”的基本类别,并提出了综合性、时态性、差异性和集体性四类基本属性。而后结合新中国成立70周年彩车设计,对不同心理图式的应用方法和属性进行了案例分析。本文所提出的方法在设计实践中得到了实证,具有一定的实用价值。     

采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN／GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN／GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积（PECVD）的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN／GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA／mm,最大跨导为44．25ms／mm,最高栅偏压＋6V。     

高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制

报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN/GaN HEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能，采用新的欧姆接触和新型空气桥方案．测试表明，器件电流密度为0.784A/mm，跨导197mS/mm，击穿电压大于40V，截止态漏电较小，1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz，最大振荡频率为28GHz，功率增益为11dB，功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力．     

高漏偏压下AlGaN/GaN HEMT噪声性能的研究

The advent of fully integrated GaN PA-LNA circuits makes it meaningful to investigate the noise performance under high drain bias. However, noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias has not received worldwide attention in theoretical studies due to its complicated mechanisms. The noise value is moderately higher and its rate of increase is fast with increasing high voltage. In this paper, several possible mechanisms are proposed to be responsible for it. Impact ionization under high electric field incurs great fluctuation of carrier density, which increases the drain diffusion noise. Besides, higher gate leakage current related shot noise and a more severe self-heating effect are also contributors to the noise increase at high bias. Analysis from macroscopic and microscopic perspectives can help us to design new device structures to improve noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias.