陈蕴博院士赴河南安阳精密制造产业园现场考察

<正>不久前,机械科学研究总院先进制造技术研究中心副总工程师,中国循环经济协会精密成型与再制造专委会首席技术专家委员会主任陈蕴博院士一行赴苏氏精密制造技术股份有限公司安阳精密制造产业园基地进行现场考察。陈蕴博院士认真听取了该公司关于"苏氏集成精密成型技术"工艺研发生产的过程,以及该公司对基础工业领域技术发展方向的展望介绍,并参观了该公司近年来研发的上百种专利产品,陈院士对"苏氏集成精密成型技术"的成果尤其在军工领域的     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

深亚微米集成电路的快速时域仿真技术

随着深亚微米集成电路技术的发展，集成电路的规模越来越大，工作频率越来越高，并正朝着系统集成的方向发展，因而在模拟速度，模拟精度和可模拟的电路规模等各个方面对电路仿真技术提出了新的要求。近年来，各种新的电路仿真方法和仿真系统用相继脱颖百出，并将取代那些传统的，已经无法适应深亚微米技术发展的电路仿真器。     

金工之星（CMM-Ⅰ）金工教学实验系统投放市场

由河南理工大学精密工程研究所与河南理工大学科技园发展有限公司联合研发成功的金工之星（CMM—Ⅰ）金工教学实验系统近日通过验收，并投放市场．     

电双稳薄膜阻抗转变机理研究

采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag TCNQ金属 有机络合物薄膜 ,并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应 ,即当外电压超过某一阈值后 ,完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排 ,致使电导率发生跃变     

两种具有电双稳态的全有机络合物

首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机（有机-有机）络合物，分别称为MCA＋TCNQ和BBDN＋TCNQ。它们可在真空中制备成薄膜，在数伏电压的作用下，从高电阻至低电阻的跃迁时间小于100ns，因此可作为一次写入的存储器材料。根据我国目前最小刻线宽度的水平，可望在1．6cm2的SiO2平面上做出64Mb的存储器。     

多目标多约束的集成电路统计优化策略

对于集成电路设计、生产过程中的多目标、多约束统计优化问题,本文提出了“合格率足够高”的优化宗旨,并从概率论的基本原理出发,结合集成电路的特点,导出了一种合格率的近似表述方法,提出的变权重Monte Carlo法编程简便,效率高。采用这些优化策略设计的集成电路合格率优化系统取得了比较好的结果。     

"中国耐磨铸件之都"评审会在北京召开

2007年8月6日“中国耐磨铸件之都”评审汇报会在北京中国铸造协会秘书处会议室举行，出席汇报会的协会负责人有：贾成炳理事长、张树藩执行副理事长、张立波执行副理事长兼秘书长、黄天佑副秘书长、李传拭顾问、信息咨询部温平主任和高岩副主任；安徽省铸造协会金建国理事长、张林秘书长；宁国市李宗怀副市长、蒋洋副市长，宁国市工业局秦旺生副局长；以及“中国耐磨铸件之都”评审专家组钱立教授、周平安教授和宋量高工。会议由张立波秘书长主持。     

计算机的组成与维护技术探讨

随着现代社会经济的发展和科技的不断进步,计算机的使用越来越广泛,已经成为我们生活和工作中不可缺少的一部分,这就要求人们了解计算机的相关知识,重视计算机的日常维护。本文针对计算机的组成及维护的相关知识进行阐述,以期对广大读者给予一定帮助。