原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究

采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%.     

具有p-n结特性的La1-xCaxMnO3／SrNbxTi1-xO3巨磁阻多层膜的透射电镜研究

本文选择Nb掺杂的SrNbxTi1-xO3(SNTO)作为n型衬底材料，利用激光分子束外延(LMBE)生长La1-xCaxMnO3(LCMO)巨磁阻薄膜作为P型材料，人工合成了巨磁阻锰氧化物异质结。这种异质结不仅具有良好的p-n结特性，而且具备其他特殊的物理性质。一般认为LCMO巨磁阻薄膜材料中具有负的CMR     

Current-voltage characteristics with several threshold currents in insulating low-doped La1-xSrxMnO3 （x=0.10） thin films

The current-induced resistive switching behavior in the micron-scale pillars of low-doped La0.9Sr0.1MnO3 thin films using laser molecular-beam epitaxy was reported. It was demonstrated that the current-voltage curves at 120 K showed hysteresis with several threshold currents corresponding to the switching in resistance to metastable low resistance states, and finally, four closed loops were formed. A mode was proposed, which was based on the low-temperature canted antiferromagnetism ordering for a lightly doped insulating regime.     

庞磁电阻La0.8Sr0.2MnO3薄膜的微结构研究

利用激光分子束外延方法在(001)SrTiO3衬底上制备庞磁电阻La0.8Sr0.2MnO3薄膜.发现高密度、尺度均匀的纳米聚集物弥散地分布在La0.8Sr0.2MnO3薄膜中.Z衬度像、EDS及电子衍射综合分析表明,这些纳米聚集物的内部成分出现起伏,主要特征是富Mn贫La,Mn/La的比值在其核心处达到极大值,形成立方结构的第二相MnO.LSMO薄膜由两种正交结构的取向畴组成.MnO与畴1的取向关系为[101]LSMO,1//[100]MnO和(010)LSMO,1//(010)MnO;与畴2的关系为[101]LSMO,2//[100]MnO和(010)LSMO,2//(001)MnO.在LSMO/STO外延体系中,还观察到大量的失配位错.失配位错的类型分为刃型失配位错,位错线沿<100>方向;螺型失配位错,位错线沿<110>方向.刃型位错是基中原有位错在薄膜生长过程中沿生长表面的扩展造成的;螺型失配位错的形成与降温过程中LSMO正交结构的取向畴的形成有关.     

波长尺寸单槽衍射的非线性特性

当微结构的尺寸等于或小于探测光的波长时,其衍射和散射特性用经典光学的理论是难以解释和说明的。随着科学技术的发展,对波长级尺寸微结构的探测与制作越来越引起人们的关心和重视,因而对其衍射和散射的特性也产生了浓厚的兴趣。有关周期性光栅的理论与实验工作是相当多的,也有人做了接近波长尺寸微结构的衍射和散射特性方面的实验工作。由于目前制作规则的可见光波长尺寸的微结构在工艺上还是困难的,而红外波长尺寸的微结构在工艺上虽不困难,但其探测器的灵敏度有限,因而到目前为止,我们还没有     

半导体Si（001）基片上制备的超薄SrTiO3薄膜的透射电镜及电子全息研究

随着半导体技术的发展，Si基体上生长的高介电常数的钙钛矿晶体氧化物薄膜如SrTiO3（STO）也受到了广泛关注。SrTiO3（a=0.3905nm）在沿Si（001）方向旋转45℃之后和Si（d=0.384nm）之间的点阵错配很小（-1.7%），同时也有各种晶体氧化物薄膜在Si基体上生长很好的缓冲材料。本文主要利用透射电子显微镜和电子全息技术对薄膜的截面样品进行了界面微结构的研究。     

激光分子束外延及其在原子水平生长BaTiO_3薄膜中的应用

激光分子束外延及其在原子水平生长ＢａＴｉＯ＿３薄膜中的应用崔大复，王会生，马昆，陈正豪，周岳亮，吕惠宾，李林，杨国桢（中国科学院物理研究所北京１０００８０）原子水平微观尺度的科学与技术领域的研究促进了制造和技术的进步与革命，这是当代科学技术的重要发展...     

新型的倍压和全波整流复合式交流预电离CO_2激光器电源

本文介绍一种利用倍压和全波整流复合的新型电路所研制的CO_2激光器电源。使用该电源不仅可使CO_2激光器的输出激光功率从0到满功率范围连续可调,输出激光平均功率的起伏小于±5％,而且可使CO_2激光器以脉冲和连续两种状态工作。     

BaTiO3／SrTiO3超晶格界面应变驰豫的研究

我们用全外反向掠入射衍射，研究了BaTiO3/SrTiO3(BTO/STO）超晶格（SLs）的界面应变和应变驰豫行为。在总厚度超过临界厚度的情况下，应变驰豫机制依赖于SLs中的单层厚度。当其小于临界厚度时，SLs整体驰豫；大于临界厚度时，SLs在其两组元界面上分层驰豫。但SLs总水平应变量均随着单层厚度的减小而增大。最小能量原理计算已支持上述结果。     

TEA C0_2激光器用的低电感马科斯高压发生器

对于采用电激励方式的TEACO_2激光器来说,一般总希望其放电电流脉冲的前沿陡而放电快,这是和放电回路的电感量直接相关的。我们研制了一种用于TEACO_2激光器的低电感重复频率马科斯高压发生器,根据测试结果,其电感量、损耗因数、重复频率、寿命和比容都很理想。 电容器是马科斯高压发生器的核心,对于性能优良的马科斯高压发生器,应采用低电感重复频率高压电容器。电容器的电感主要是由电容器的结构和引线产生的;电容器能否在重复频率条件下持续工作,与电容器的能量损耗有直接关系,而电容器的