压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察

晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生...     

纯铁离子渗稀土表层结构研究

本文利用辉光放电离子溅射法成功地将稀土元素Ｌａ，Ｃｅ离子化，并以较高的浓度渗入纯铁．采用金相、电子探针、能谱（ＥＤＡＸ）及透射电镜（ＴＥＭ）等方法研究了被渗试样的渗层结构，确定出稀土元素在纯铁中的两种存在形式：固溶和亚稳的金属间化合物（Ｃｅ，Ｌａ）Ｆｅ_７，选区电子衍射证明，ＣｅＦｅ_７与α－Ｆｅ之间存在如下取向关系（０１１）α－Ｆｅ∥（１１０）ＣｅＦｅ７，［１１１］α－Ｆｅ∥［００１］ＣｅＦｅ７．观察表明，稀土元素原子的渗入可促使铁基体中固溶的微量碳原子向试样外表面扩散并偏聚．     

压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构

利用航向电子显微术（ＴＥＭ）观察了单晶Ｓｉ维氏压痕区的结构转变。平视和截面像相结合给出了压痕诱导Ｓｉ非昌化的轮廓图。其区域为与压头相似的倒四棱锥金字塔形。但其棱边夹角小于相对应的压头相对棱夹角，残留的准确无误痕深度很浅。直接证明了Ｓｉ的压痕区具有很大的弹性回复量     

纯铁在稀土与氮离子共渗后的表层结构

采用辉光放电离子溅射法成功地将稀土元素Ｃｅ，Ｌａ和氮元素以较高浓度渗入纯铁．使用金相、电子探针及透射电子显微镜（ＴＥＭ和ＨＲＴＥＭ）等实验方法对试样进行了分析．结果表明，由于稀土元素的作用，在渗层暗区以下使氮元素主要以不完全６Ｈ类型的高层结构间隙相γ＇（Ｆｅ_４Ｎ）的形式存在，并与基体间近似符合Ｋ－Ｓ关系，界面共格较好．与仅渗氮样品的对比表明，稀土元素明显促进氮元素的渗入并促使氮元素分布曲线峰值向Ｆｅ基体内部推移．除以上作用外，稀土元素还在α－Ｆｅ中生成金属间化合物（Ｃｅ，Ｌａ）Ｆｅ，与基体间有如下近似取向关系     

压痕诱导单晶GaAs非晶相变

利用高分辨电子显微镜观察了(100)GaAs单晶Vickers压痕诱发的形变行为.结果表明,这种材料在Vickers硬度计载荷的作用下产生许多孪晶和堆垛层错,导致发生晶格扭曲,最终诱发晶体的非晶转变.孪晶、层错和晶格扭曲很可能是压痕诱发GaAs非晶转变过程中经历的变形阶段.