金属丝网液硫过滤器在400kt／a 硫磺制酸装置中的应用

我公司为了配套400kt/a硫基氮磷钾复合肥的生产，于2000年5月建成目前国内规模最大的单系列400kt/a硫磺制酸装置。该装置以进口固体硫磺为原料，固体硫磺在运输，堆贮过程中不可避免地混入泥沙和尘土；同时在加石灰中和酸度时所产生的沉淀物及石灰中的杂质也增加了灰分含量。这些灰分如不除去，会被炉气带入焚硫及转化工序，势必会引起火管锅炉，转化器催化剂层阻力的增加，影响装置的稳定运行，由于液硫相对密度较大（140℃时为1．79g/cm^3)，所以只靠重力沉降很难除去灰分，而且沉降所需停留时间长，设备规格和占地面积较大，投资高，清渣困难；另外沉渣中含硫高，降低了硫利用率，因此，对于大型硫磺制酸装置来说，仅靠重力沉降除去液硫中的灰分是不行的，必须加过滤器。     

客香四季美点 宾醉三楚佳肴——沙市饮食业一瞥

您到过沙市吗,您领略过这里的佳肴美点吗?如果您未曾光顾过这座镶嵌在长江之滨的璀璨明珠般的古城,那就随着我们的笔端,去饱览这多彩的食廊吧.沙市,自古以来就是丰饶的渔米之乡,多少文人墨客为此留下了千古绝唱.唐杜甫诗曰:“白鱼如切玉,朱桔不论钱”;宋苏轼云:“江水深成窟,潜鱼大似犀”;陆游诗曰:“沙头巷陌三千家,烟雨冥冥开桔花”;明王启茂歌吟:“舟船夜贯千门酒,楼阁春藏十里花”……而今的沙市,更非昔日可比,确是:美馔名声顾客遥指,佳肴飘香薰醉游人.     

基于局部保持投影的统计不相关复合信息投影

为解决在人脸识别领域的特征提取问题,提出了一种基于局部保持投影(Locality Pre-serving Projections,LPP)的统计不相关复合信息投影(UMIP).该方法是基于线性投影的子空间方法,将原始人脸图像看作是一个矩阵,通过相应的代数方法,抽取得到保持原始样本分布信息的低维子空间信息.在UMIST和Yale标准人脸图像库上的实验结果表明,UMIP算法提高了识别率.     

磷酸、复合肥及合成氨废水的综合治理

介绍山东红日集团磷酸、复合肥、合成氨的污水处理装置。污水经污水站处理后，全部达标排放，取得显著的环境效益和经济效益。     

Influence of Substrate Temperature on the Microstructure of Sc and ScD2 Films

采用电子束沉积的方法在底衬Mo(Rq≈5~8.63nm)上制备了厚度为2~3μm的Sc膜,再将Sc膜在Sievert真空系统中进行吸氘。结果表明:在底衬温度为623,823,1023K时,Sc膜呈现出柱状结构,且具有(002)的择优生长;随着沉积温度从623K增大到1023K,Sc膜的(002)择优生长变强,晶粒尺寸也随之增大,这与前人报道的结构区域模型(SZMs)是一致的。Sc膜经吸氘变为了ScD2膜,ScD2膜为(111)择优生长,而且随着衬底温度的升高,择优生长也随着增强,这说明了(111)晶面的ScD2晶核是由吸氘前(002)晶面的钪晶核生长而来的;高底衬温度下制备的Sc膜经吸氘后所获的ScD2膜的晶粒尺寸反而更小,这可能是由D原子在低衬底温度制备的Sc膜中较强的扩散动力学造成的。另外,提出了一种新的制备底衬材料的方法,该方法能够简单、快速的获得Sc膜的断面形貌,而且对Sc膜不会造成任何污染,且经济便宜。     

衬底材料及基底温度对Sc膜形貌、结构的影响

在不同基底温度下,用电子束蒸镀法在未抛光Mo、抛光Mo及Si〈111〉基片上制备了Sc膜,并用XRD、SEM及AFM对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析测试。结果表明：衬底材料、基底温度对Sc膜结构、形貌的影响极大。物相结构相同的Mo基底,抛光Mo上的Sc膜表面较平整,倾向于混合生长;而粗糙Mo基底上Sc膜凸凹不平,为岛状生长。提高基底温度有利于抛光Mo基底上Sc膜的(002)方向择优生长,但高温时会导致Si基底上膜表面的物相由单质Sc变为ScSi化合物,作为吸氢材料,ScSi化合物的形成不利于吸氢,应尽量避免其生成。     

沉积速率对EBD制备Si基Sc薄膜结构及形貌的影响

运用电子束蒸发(EBD)镀在Si(111)底衬上沉积了金属Sc膜。在底衬温度为650℃时,研究沉积速率对Sc膜形貌与结构的影响。SEM及XRD分析结果表明:此方法制备的膜表面平整、致密;基底温度对Sc膜结构和表面形貌影响很大,在0.5～10nm/s范围内膜的表面形貌及微观结构以2nm/s为分界线可以分为两大类,低沉积速率时膜由唯一的(001)晶粒取向组成,而高沉积速率时膜的颗粒生长方向除了(001)外,还有很多其他的取向。     

SPS法制备铜-2%碳纳米管复合材料

首先采用颗粒复合法(PCS,Particle Composite System)对Cu-碳纳米管(CNT)粉末进行表面改性处理,得到CNT镶嵌或包覆于较软微米Cu颗粒表面的复合粉,其形貌近似球形,然后将复合粉通过SPS烧结工艺制备成Cu-2%(质量分数)CNT复合材料。通过硬度测试、密度测试、SEM形貌观察和能谱分析,研究了PCS处理时间对Cu-2%CNT复合材料的组织和性能的影响并与普通混粉后的复合材料做了比较。结果表明,随着PCS处理时间的延长,复合粉末粒径不断减小,在40min以后,随时间的延长,粒径基本保持不变。与纯Cu相比,经PCS处理后制备的Cu-2%CNT复合材料硬度有26%~34%的提高,与普通混粉24h相比提高了20%~26%;CNT在铜基体中呈连通的网状结构,复合材料的致密度达97%以上。     

Ti薄膜在Si基底上的生长模拟

利用三维动态蒙特卡洛模型模拟了Si基底上沉积Ti薄膜的初始期间的生长特性。模拟结果发现,在扩散截止步长为50的情况下,沉积温度和沉积速率对Ti薄膜初始生长模式和表面形貌有明显的影响。模拟结果表明,随着沉积温度的增加,Ti薄膜的初始晶核尺寸越来越大,数目越来越少,趋于岛状生长模式,同时Ti薄膜的相对密度越来越大,薄膜表面粗糙度也越来越小,即:较高的温度有利于Ti薄膜的岛状生长。随着沉积速率的增大,Ti薄膜表面越来越粗糙,相对密度也越来越小;较大的沉积速率不利于Ti薄膜的生长。