壳聚糖(CHT)吸附Cr(VI)的机理研究

动力学研究表明，ＣＨＴ能迅速和有效的从水溶液中吸附铬（ＶＩ），在初始铬（ＶＩ）浓度２０ｍｇ／Ｌ和ｐＨ３．２时，ＣＨＴ对铬（ＶＩ）的吸附１小时内可达９０％，按Ｌａｇｅｒｇｒｅｎ方程计算出一级速率常数为３．０５ｈ－１，吸附平衡的实验数据符合Ｌａｎｇｍｅｒｕｉｒ和Ｆｒｅｕｎｄｉｃｈ关系式，光谱研究表明，壳聚糖中—ＮＨ＋３与Ｃｒ２Ｏ２－７离子的相互作用主要是以氢键形式存在的静电引力。     

DML-DATALOG综合录井仪关键单元故障分析与排除

DML-DATALOG综合录井仪广泛应用于伊拉克鲁迈拉开发井现场录井作业中,针对现场使用过程中仪器关键单元容易出现的各类故障,结合仪器工作原理从供电系统、气体分析单元、计算机系统以及网络传输系统4方面对其进行分类,对造成故障的原因进行分析,进而提出了逐一排除法、替换法、软件的正确设置、查杀病毒等故障排除方法,供现场录井人员在对该型号仪器进行现场故障处理中提供借鉴和参考。     

模块化生态声屏障简介

介绍了模块化生态声屏障的结构、植物搭配、土壤配比等方面的特点,并对生态声屏障的发展趋势进行了论述。     

以缆线管廊为主构建适宜中小城市需求管廊体系研究

巩义市综合管廊规划编制工作结合中小城市基础设施更新的特点,加强管理部门及管线单位的统筹协调,深化管线现状和规划需求的调查梳理,重视城市功能需求和经济条件等实际情况,从管廊建设可行性和服务性出发,因地制宜构建以缆线管廊为主的综合管廊体系,为其他中小城市综合管廊规划编制提供参考。     

预合金粉钻头钻进玻璃效果测试

通过在台式钻床上使用不同预合金粉制作的钻头钻进玻璃,测试预合金粉钻头在玻璃钻进时的性能,寻找能提高金刚石工具加工效率、寿命,改善加工产品品质的预合金粉。实验是在恒压钻进条件下,钻进3.5mm玻璃,并记录钻进时间,钻孔数量,钻头消耗,比较钻头钻进效果,得到在玻璃钻进过程中钴基预合金粉与Cu-Sn合金粉调配使用效果更好的结论。     

氧化锌基光催化剂的研究进展

概述了氧化锌(ZnO)基材料的制备方法以及作为光催化剂在国内外的研究进展.重点介绍了用氧化锌基材料作为光催化剂所面临的难题以及研究解决的方法.展望了氧化锌基光催化剂的发展方向和应用前景.     

生物柴油催化剂——SO42-/ZrO2-TiO2固体酸的制备及表征

以ZrOCl2·8H2O和Ti(SO4)2为原料,以浓氨水为沉淀剂,以稀硫酸为浸渍剂,经高温焙烧制得SO42-/ZrO2-TiO2固体酸催化剂.采用正交试验考察了催化剂制备过程中各因素对其催化活性的影响,得到的优化条件为:焙烧温度723 K,焙烧时间4h,n(Ti)/n(Zr)=6,浸渍液硫酸浓度1.50 mol/L.以优化工艺制备的SO42-/ZrO2-TiO2固体酸为催化剂,在n(醇)/n(油)=20,m(催化剂)/m(油)=0.03,反应温度423 K,反应时间5h,搅拌速率370 r/min的条件下,蓖麻油平均转化率可达98.5％.采用Hammett指示剂法、XRD、SEM技术对正交试验条件下制得的SO42-/ZrO2-TiO2固体酸进行了表征.结果表明:其酸强度(H0)在0.8 ～6.8之间,催化剂活性随总酸量增加而增大;该固体酸催化剂骨架结构为TiO2锐钛矿型晶体且呈不规则微米块状结构.     

两种工艺拐枣酒抗氧化成分及活性比较

以拐枣果梗为原料,制备拐枣露酒与发酵酒,测定拐枣酒中营养成分含量,并采用氧自由基吸收能力（ORAC）、铁离子还原能力（FRAP）、2,2'-联氨-双（3-乙基苯并噻唑啉-6-磺酸）二铵盐（ABTS）与1,1-二苯基-2-苦肼基（DPPH）自由基清除能力4种方法对其抗氧化活性进行测定,旨在比较两种工艺拐枣酒抗氧化成分含量及抗氧化活性。结果表明,拐枣发酵酒中总多酚、总黄酮、抗坏血酸含量均高于拐枣露酒,拐枣露酒中具有较高的糖含量,发酵酒中残糖量少。两种工艺拐枣酒均具有很强的抗氧化能力,其抗氧化能力与之含有的总黄酮、总多酚及抗坏血酸含量呈显著正相关（P＜0.05）。拐枣酒的ORAC值在6.49～14.69 mmol/L之间,FRAP值在3.59～11.71 mmol/L之间,对ABTS、DPPH自由基的清除率均＞90%,半抑制浓度（IC50）值分别在7.10～20.30 μg/mL、23.40～52.30 μg/mL之间。拐枣露酒与拐枣发酵酒相比,发酵酒中营养成分含量更高,品质更佳,抗氧化能力更强。     

港口机电设备故障诊断技术的应用研究和推广

随着社会经济的快速发展,我国港口的业务量在不断增加,智能化、机械化是港口事业发展的必然趋势。高程度的机械化带来的是对机电设备的高要求,同时也在提高这港口机电设备出现故障的频率。本文主要研究的是港口机电设备故障诊断技术的应用研究和推广。     

GaN/SiO_2刻蚀选择比的研究

在干法刻蚀GaN时使用SiO2作为掩蔽物,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/SiO2刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和Ar作为刻蚀气体,改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN/SiO2刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响。实验结果获得了GaN在刻蚀速率为165nm/min时的GaN/SiO2选择比为8∶1。设备验收时GaN刻蚀速率为70nm/min,GaN/SiO2选择比为3.5∶1,可以应用于实际生产。