重杂散电感电磁搅拌专用变频电源IGBT关断尖峰电压研究

由主电路回路和功率器件内部寄生杂散电感引起的电磁搅拌电源中IGBT开关器件关断尖峰电压过高是电磁搅拌专用变频电源失效的主要原因之一。以某公司老一代大功率电磁搅拌器专用变频电源中IGBT关断尖峰高导致功率开关器件过压损坏为例,首先分析了IGBT关断尖峰电压产生的原因及IGBT关断尖峰电压过高带来的危害,接着总结目前常用的IGBT过压尖峰解决办法及利弊,并最终采用IGBT的分级关断技术方案来解决电磁搅拌专用变频电源中IGBT关断尖峰电压过高的问题。实践证明,采用所提出的解决IGBT过压尖峰的措施后,几乎杜绝了电磁搅拌器专用变频电源因IGBT过压而失效的现象。     

酶解辅助超声法提取花生红衣原花青素的工艺研究

本试验以花生红衣为原料,纤维素酶辅助超声波提取花生红衣中原花青素,采用单因素和正交试验研究了纤维素酶添加量、料液比、提取温度和提取时间对原花青素得率的影响,并分析其体外抗氧化活性。结果表明:最佳工艺条件为纤维素酶添加量为0.3%,料液比1∶20(m/v),提取时间40 min,提取温度55℃,原花青素得率为10.97%,原花青素提取物对DPPH自由基具有较强的清除作用。     

使用C＋＋与COM技术进行IE5／XML编程初步

简介 XML(Extensible Markup Language)在1998年1月获得批准,而且正在迅速成为交换和表示结构化文档事实上的标准,因为它有众多的优势——适用性、易用性、可用的工具多、媒体的覆盖范围广等。 本文将用简洁的示例向读者介绍如何在自己的应用程序中利用IE5 XML对象模型添加对XML的支持,同时也介绍Visual C++6.0编译器的使用以及一些COM的概念。     

基于分子动力学的单晶硅纳米压痕过程分析

基于分子动力学角度,本文主要分析了单晶硅的纳米压痕过程,并尝试解释其瞬间原子位置、作用力变化以及其压痕过程等原理。经过笔者试验发现:磨粒的不断压入,会使单晶硅的硅晶格发生变成,且磨粒产生的能量会以应变能的形式存储在晶格之中。同时,随着硅原子势能增加到一定数值时,硅原子键就会以断裂形式变成非晶层堆积在磨粒下方。当磨粒离开单晶硅时,非晶层开始重构,释放能量,达到新的平衡状态。     

原子尺度下凝固形核计算模拟研究的进展

形核是一级不连续相变的起点,对后续材料组织的形成及最终产品的性能具有重要影响。形核过程、机制及其控制一直是材料科学和凝聚态物理等领域中最为活跃的研究课题之一。形核过程发生在原子空间尺度及扩散时间尺度,同时还具有随机性,因此充分认识形核过程将面临极大的挑战。受实验条件的限制,目前难以通过实验方法直接观测金属凝固中晶核的形成过程。近年来,随着计算材料科学的兴起,借助于数值模拟方法,凝固形核问题研究取得了很大的进展。本文首先回顾了形核理论的发展历程,然后对当前凝固形核模拟的研究进展进行述评,并介绍本课题组近年来基于晶体相场模型在形核研究方面的工作进展,最后对形核研究进行了展望。     

二元铝锂合金析出相错配度的第一性原理计算EI北大核心CSCD

通过第一性原理计算结合准谐德拜模型系统研究了热膨胀系数、固溶度和空位浓度对Al/Al_(3)Li和Al/AlLi晶格错配度的影响规律,发现Al/Al_(3)Li晶格错配主要源于有序■无序相转变和热膨胀系数差异,而Al/AlLi的错配,除了晶体结构外,主要受两相中锂固溶成分的影响。通过与实验析出相的尺寸比较得出Al/Al_(3)Li之间为共格相界,而Al/AlLi为非共格相界。对热膨胀系数、固溶度和空位浓度的分析不仅确定了晶格错配的起源,而且也为相关实验现象提供了理论解释。     

新型碳化硅双极结型晶体管自适应驱动电路

将几种典型的传统双极结型晶体管(BJT)驱动应用于碳化硅(SiC)BJT,并对其功耗、开关速度进行比较,在此基础上对其参数进行优化,最后提出了一种SiC BJT的新型自适应驱动,通过建立从集电极电流到基极电流的正反馈,基极电流能等比例地跟随集电极电流,使得电流增益系数保持稳定,简化了驱动电路并提高了电路的响应速度,同时大大降低了轻载时基极稳态驱动功耗。通过斩波电路的实验结果表明,自适应驱动方式稳态功耗仅为恒定基极电流驱动方式稳态功耗的30%左右。     

多电平变换器连续集模型预测控制研究

为解决有限集模型预测控制(FCS-MPC)下变换器输出波形频谱发散、纹波过大的问题,在此提出一种基于矢量分析的连续集模型预测控制(CCS-MPC)策略。该策略采用通过多个基本状态矢量实时合成目标矢量的方式,实现了四开关状态变换器的无差拍控制。同时由于单周期内各矢量作用时间可通过几何方法简便求得,因此该策略便于现有微处理的实现。与FCS-MPC相比,新型CCS-MPC策略能够在不显著增加计算负担的前提下获得优异的频谱特性。该策略在100 kHz氮化镓(GaN)三电平飞跨电容(FC)变换器上进行了实验验证。实验结果显示,与FCS-MPC相比,新型CCS-MPC下变换器的电感电流总谐波失真(THD)降低了60%以上。     

一种多功能信号隔离器的研究与应用

信号隔离器是一种采用先进的数字化技术将输入信号进行隔离和转换后再输出的电子设备，对高频、低频共模脉动干扰信号具有很好的抑制作用，因此广泛应用于工业自动化领域。首先分析了传统磁电式原理信号隔离的主要应用场景和不足之处，然后采用安华高公司的线性光隔离芯片ACPL C87B 000E设计一种能满足常规需求的多功能信号隔离器，并且给出该信号隔离器所具有的0~5 V转0~5 V、0~5 V转4~20 mA、4~20 mA转4~20 mA、4~20 mA转0~5 V四种转换形式的详细电路图。最后将四种信号隔离中的0~5 V转4~20 mA应用于电磁搅拌专用变频电源中逆变IGBT内核结温监测系统，证明了采用线性隔离光耦设计信号隔离器方案的可行性。