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1.
液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响   总被引:3,自引:2,他引:1  
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。  相似文献   
2.
研究了A位Nd^3 非电荷平衡取代量对[(Pb0.48Ca0.52)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3晶体结构及微波介电性能的影响.用XRD研究了Nd^3 的取代对体系晶胞参数及物相成分的影响.介电性能研究表明,体系介电常数随Nd^3 先增加后减小,并且当Nd^3 的含量超过一定值时,体系的品质因数得到改善.用键价理论分析了体系谐振频率温度系数随Nd^3 取代量的变化关系.当Nd^3 的含量为5mol%时体系微波介电性能达到最佳为;εr=87.9,Qf=5210GHz,Tf=7.8ppm/K.研究了[(Pb0.48Ca0.52)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3体系中晶体结构与介电性能之间的关系.  相似文献   
3.
推导出了0-3/1-3混合连通型铁电陶瓷-铁电聚合物的热释电系数表达式, 并详细讨论了陶瓷体积分数 v2和陶瓷颗粒粒径与膜厚比(G/t)分别对复合材料的热释电系数pc及pccc为复合材料的介电常数)的影响。结果表明: 当G/t≥0.5时, 不同陶瓷体积分数复合材料的热释电系数pc均趋向于某个定值, 说明此时G/t对热释电系数的影响可忽略不计; 另外当陶瓷体积分数为0.1时, 随着G/t的增大, pcc出现一个极大值, 且当G/t=0.9时, pcc比纯PZT陶瓷的大8倍, 表明此条件为最佳工艺条件。而且, 在低陶瓷体积分数和低G/t比时, 理论曲线与实验数据符合较好。   相似文献   
4.
通过对工艺条件的研究,解决了钒有机溶胶与基片的亲水性问题,提出了成膜牢固的亲水处理方法,制备出了无裂纹、致密性好的VOx薄膜。测量结果表明,520℃热处理条件下的VOx薄膜样品的平均电阻温度系数达到了3.95%K–1。而470℃热处理下的VOx薄膜样品,其升降温阻温特性一致性很好,可用作高灵敏度红外探测器敏感元材料。  相似文献   
5.
介绍了富锆PZT陶瓷F_(RL)和F_(RH)的相变,并测试具有不同锆钛比PZT陶瓷的热释电性能,探索相变温度与锆钛比的关系,找出室温下热释电性能最好的PZT陶瓷锆钛比。通过测试,结果表明当锆钛比为97/3时,PZT陶瓷室温下的热释电性能最好,为30×10~(-4)C/m~2℃,符合热释电探测器的性能要求。  相似文献   
6.
铁电体特有的自发极化效应使其成为储能功率电容器的重要介电材料之一。铁电陶瓷的高温稳定性优于铁电聚合物,被大量用于电介质储能。整体而言,铅基铁电材料的性能优于无铅铁电材料,但大量铅元素的使用会严重危害环境和人体健康。因此,具有高性能的无铅铁电材料的研究和使用对人类健康和环境保护具有重要意义。本文从储能用无铅铁电陶瓷块体和薄膜材料两方面出发,综述了近年来国内外学者在无铅储能铁电陶瓷方面的研究进展,并对无铅铁电陶瓷在电介质储能领域的发展进行了展望。  相似文献   
7.
为探索无毒性凝胶注模成型法在制备热释电陶瓷方面中的应用,对Pb0.8La0.1Ca0.1TiO3(PLCT)热释电材料的成型实验、水解液配置、烧结温度对介电性能和热释电性能的影响进行了研究。结果表明:乙醇含量为3%,水解液pH值为2,烧结温度为1 150℃时,烧结成的PLCT热释电陶瓷性能最优,其平均热释电系数达8.0×10-4C/m2.℃,而探测率优值高达7.65×10-5Pa-0.5。  相似文献   
8.
基于动态电流法设计了一种新型热释电系数测试系统,其新颖之处在于首创设计了三路自适应微电流放大电路模块,该模块解决了弱热释电材料需要小动态范围,高灵敏度微电流放大而强热释电材料需要大动态范围,低灵敏度微电流放大的矛盾.系统先利用计算机对三路自适应微电流放大电路进行控制,再利用其强大的信息处理能力来获取热释电系数与温度的关系曲线,并在计算机上以数据和图形形式显示出来.实验结果证明,该新型三路自适应热释电系数测试系统既能满足弱热释电性材料,也能满足强热释电性材料热释电系数的测试要求.  相似文献   
9.
采用丝网印刷工艺并通过有效掺杂B2O3-Li2O制备出了一致性和可重复性良好的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)厚膜.系统研究了B2O3-Li2O掺杂对BST厚膜的低温烧结特性、微观结构、相构成及介电性能的影响.结果表明:随着B2O3-Li2CO3含量的增加,BST厚膜的烧结温度逐渐降低,晶粒尺寸和介电常数显著变小...  相似文献   
10.
挠曲电效应是一种应变梯度与电极化(正挠曲电效应)或电场强度梯度与应变(逆挠曲电效应)之间的力电耦合效应。与压电效应不同,挠曲电效应不受材料对称性、Curie温度所限制,且随着材料尺寸减小而不断增强,因而具有广阔的研究与应用前景。本文主要总结了挠曲电效应的发展历史、挠曲电系数测量、挠曲电效应增强机制以及当前研究进展,重点介绍了挠曲电效应在传感器、致动器、机械存储器、挠曲电压电复合材料、俘能器以及新型电子器件等领域应用的最新研究进展,最后对挠曲电效应的发展前景进行了展望。  相似文献   
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