Al基上偏压磁控溅射Cu薄膜的工艺研究

利用磁控溅射方法,通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底进行轰击,在Al箔上制备Cu薄膜。采用强力胶带试验及数字式微欧计考察了负偏压对薄膜附着力和方块电阻的影响,以及Cu薄膜的氧化规律。结果表明,样品的附着力随负偏压的增大先急剧增加,后又下降,负偏压为200V时附着力最强,为76N;方块电阻则随负偏压的增大先下降,在200V达到最小值1．575Ω/□,而后又增大;Cu薄膜的氧化反应完成的时间与Cu膜厚度基本呈线性规律。     

Al基上偏压磁控溅射Cu薄膜的工艺研究

利用磁控溅射方法,通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底进行轰击,在Al箔上制备Cu薄膜.采用强力胶带试验及数字式微欧计考察了负偏压对薄膜附着力和方块电阻的影响,以及Cu薄膜的氧化规律.结果表明,样品的附着力随负偏压的增大先急剧增加,后又下降,负偏压为200 V时附着力最强,为76 N;方块电阻则随负偏压的增大先下降,在200 V达到最小值1.575 Ω/□,而后又增大;Cu薄膜的氧化反应完成的时间与Cu膜厚度基本呈线性规律.