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采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜,
并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性
能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换
Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高,
其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂
质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄
膜相近。 相似文献
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采用化学浴沉积法(CBD)在玻璃衬底上制备了PbS薄膜,探究了沉积时间(20~100 min)对其厚度、微观形貌、晶体结构和禁带宽度的影响.结果表明,化学浴沉积所得的PbS薄膜均匀、致密,呈镜面光亮的黑色.随着沉积时间的延长,PbS薄膜厚度先快速后缓慢增大,微观形貌逐渐由片状结构转变为立方体结构,择优生长取向从(200)转变为(220),禁带宽度先减小后增大.沉积60 min所得PbS薄膜的厚度约为853 nm,以(220)晶面为生长取向,禁带宽度为0.205 eV,光学性能最佳. 相似文献
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