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1.
本文介绍了在某高校大门柱的搬迁工程中,运用托换技术分三步将型钢植入门柱基础部位砖混结构中,成功地将原结构基础部位一定高度内的砖砌体置换出来,改变了结构传力路径,实现了本构筑物在根部的分离,并通过在门柱外部焊接钢结构框架,设置吊装点,满足吊装要求,最终顺利地实现了搬迁。 相似文献
2.
通过对氮化镓(Gallium nitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)结构,获得了高性能的HB-LED外延片材料.高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和变温光致荧光谱(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)测量获得:HB-LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2 mA至120 mA变化下蓝移量小于1 nm,电致荧光谱的半高全宽值(Full width hlf maximum,FWHM)在注入电流为20 mA时仅为18 nm.此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupled plasma,ICP)干法刻蚀技术.考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当.还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60. 相似文献
3.
<正>随着光子技术在光纤通信、微波光子学、激光雷达、量子信息处理等领域的广泛应用,光子和光电子集成的重要性日益突显,成为解决相关应用面临的体积、功耗和成本瓶颈的关键。实际上,早在20世纪60年代就提出了集成光学的概念。受到集成电路(IC)技术的启发,提出了光子集成回路(PIC)和光电集成电路(OEIC)的概念,期望通过集成技术来增强光电子器件的性能,减小体积和功耗,并提高可靠性。然而,相比于集成电路芯片的迅猛发展,光子和光电子集成由于面临材料和工艺等一系列挑战,直到近十余年才实现突破。目前,大规模光子集成技术正在逐渐走向实用化。 相似文献
4.
基于现场试验,对实测风荷载作用下大跨度索结构避难帐篷的顶点位移进行测量,分析风速对顶点位移的影响,得出了实测风荷载与结构顶点位移之间的关系。应用ABAQUS有限元软件对风荷载作用下的大跨度索结构避难帐篷的顶点位移进行有限元计算,有限元计算结果与试验结果具有较好的一致性。通过降低脚手架材料的刚度,模拟不同刚度条件下结构的风载-位移响应;并模拟了雪荷载以及温度荷载作用下大跨度索结构避难帐篷的受力性能。研究结果表明:大跨度索结构避难帐篷的抗风、抗雪荷载性能以及温度荷载作用下的变形幅度均能达到安全使用要求。 相似文献
5.
针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6Ω.cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉. 相似文献
6.
7.
通过实验室干湿加速试验,用超声波法、回弹法、超声-回弹综合法对受硝酸盐腐蚀的聚丙烯砂浆进行强度检测并研究其作用基理。硝酸盐腐蚀对聚丙烯砂浆表面有一定影响,同时使试块整体强度下降。结果表明,腐蚀后的抗压强度与回弹值、超声波波速有较好的拟合关系。 相似文献
8.
选用42.5级普通硅酸盐水泥、高铝水泥和石膏多元复合体系辅以多种外加剂研制出高性能超早强灌缝材料(TUSPM),系统地进行了不同胶砂比和膨胀剂掺量的研究,并对胶砂比1.5的微观结构进行分析。结果表明:该体系辅以多种外加剂可以配制出初始流动度达325mm,30min流动度280mm,终凝时间(50±5)min,1d抗折强度达13.58MPa,1d抗压强度达39.3MPa,7d抗折强度达17.92MPa,7d抗压强度达71.8MPa,28d抗折强度强度19MPa,28d抗压强度99MPa,该体系微观结构紧凑致密,膨胀性能满足要求。 相似文献
9.
电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究 总被引:4,自引:1,他引:3
深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形。利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1。 相似文献
10.
提出了一种基于朗伯型反射面的LED间接照明系统,即LED光源出射的光全部通过朗伯型反射面反射后再照射目标区域,该系统具有光源亮度均匀、灯具效率高等优点,很好地解决了高亮度LED点光源给室内照明带来的眩光问题。首先提出了一种能够很好逼近朗伯反射面的复合型微结构表面,并通过Lighttools光学仿真对其分布参数进行了优化,使最终结果在不同光线入射角的情况下,都具有较理想的余弦反射特性。在此基础上,设计了整体光学系统,使其实现了近180°范围的角度亮度的均匀性和高达84.7%的灯具效率,验证了间接照明方法的可行性。 相似文献