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采用共沉淀法制备了不同n(Cu):n(Fe)的Cu-Fe类水滑石催化剂,采用X射线衍射、扫描电子显微镜和NH_3程序升温脱附等方法对催化剂进行了表征。将Cu-Fe类水滑石用于催化糠醛与1,2-丙二醇反应合成了糠醛1,2-丙二醇缩醛,探讨了催化剂组成、原料配比、催化剂用量和反应时间对合成反应的影响。实验结果表明,Cu-Fe类水滑石对该反应的催化活性和选择性都很高,是合成糠醛1,2-丙二醇缩醛的良好催化剂;以n(Cu):n(Fe)=3的Cu-Fe类水滑石为催化剂,在糠醛用量0.12 mol,n(1,2-丙二醇):n(糠醛)=1.5、催化剂用量2.60%(相对于糠醛的质量分数)、带水剂环己烷用量5 mL、反应时间5 h、反应温度95~100℃的条件下,糠醛的转化率可达81 7%,糠醛1,2-丙二醇缩醛的选择性为99.7%。同时根据实验结果初步提出了该反应的催化机理。 相似文献
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采用共沉淀法合成了铜铬类水滑石(CuCr-HTLc)和铜铝类水滑石(CuAl-HTLc),借助XRD、IR及N2吸附-脱附等方法对其进行了表征.并将合成的两种催化剂分别应用于苯甲醛与甲醇反应生成安息香甲醚反应中进行活性评价.结果表明,当合成体系中,二价金属离子M2+与三价金属离子M2+物质的量之比为2/1,共沉淀pH值分别控制在4.3±0.2和4.9±0.2时,可合成得到CuCr-HTLc和CuAl-HTLc.二者相比,前者具有较好的晶型、极窄的孔径分布、较高的比表面积.当反应温度为50℃、反应时间为90 min时,CuCr-HTLc催化苯甲醛与甲醇反应的苯甲醛转化率为89.56%,安息香甲醚选择性接近100%;而采用CuAl-HTLc催化剂时,苯甲醛转化率为61.49%,安息香甲醚选择性接近100%.因此,对于催化苯甲醛与甲醇生成安息香醚的反应,CuCr-HTLc优于CuAl-HTLc. 相似文献
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介绍了攀钢RH-MFB真空处理装置预热站的煤气、氧气流量调节系统原理、软件设计及实现.控制系统采用Honeywell公司的S9000e系列小型集散控制系统,通过软件设计,PID调节阀的开度,来控制燃烧混合流量的配比.在不同的工艺温度要求下,选择相应的加热升温曲线,对RH真空室进行干燥和预热.系统自投运以来,运行稳定可靠,控制精度在±10 ℃以内,节能降耗显著.该控制系统软件设计简便,硬件成本低,适用于加热炉或均热炉等工业炉窑的过程控制,值得推广应用. 相似文献
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应用尿素热解法合成晶相单一、结晶度较好的Ni(HCO3)2多孔材料,借助多种表征手段对其物化性能进行表征。N2吸附-脱附结果表明Ni(HCO3)2多孔材料有99.03 m3/g的比表面积、7.8 nm左右的孔径;扫描电镜(SEM)和粒度分布结果说明Ni(HCO3)2微球的粒径均匀;热重分析结果表明500°C是热解Ni(HCO3)2制备NiO的适宜温度;CO2-TPD和NH3-TPD结果表明Ni(HCO3)2具有明显的酸碱双功能活性中心;透射电镜(TEM)结果表明Ni(HCO3)2颗粒是由六边形纳米片聚集而成的,且颗粒具有孔隙结构。将Ni(HCO3)2催化剂应用于苯甲醛与乙醇一步法合成安息香乙醚反应中,Ni(HCO3)2显示出优异的催化活性,反应平衡转化率高达57.5%,安息香乙醚的选择性近100%。 相似文献
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The radiation response of 90 nm bulk silicon MOS devices after heavy ion irradiation is experimentally investigated. Due to the random strike of the incident particle, different degradation behaviors of bulk silicon MOS devices are observed. The drain current and maximum transconductance degrade as a result of the displacement damage in the channel induced by heavy ion strike. The off-state leakage current degradation and threshold voltage shift are also observed after heavy ion irradiation. The results suggest that the radiation induced damage of sub-100 nm MOS devices caused by heavy ion irradiation should be paid attention. 相似文献
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后摩尔时代集成电路的新器件技术 总被引:1,自引:0,他引:1
随着大规模集成电路(IC)技术的持续发展,来自短沟效应、量子隧穿以及寄生效应等问题的挑战使得传统微电子器件技术越来越难以满足IC技术持续推进的要求,特别是日益严峻的能耗问题已经成为延续摩尔定律的最大瓶颈,在后摩尔时代采用新器件技术成为必然.面向不同集成电路应用如何发展适合未来微电子产业需求的纳米尺度新器件成为当前热点问题.本文结合新结构器件、新原理器件和新材料的引入介绍适于大规模集成的纳米尺度新器件技术,包括FinFET器件、超薄体SOI器件、准SOI器件、多栅/围栅硅纳米线器件、超陡亚阈摆幅器件、高迁移率沟道器件等,分析相关器件优势、存在问题、可能解决方案及应用前景等,并讨论后摩尔时代新器件技术路线图,给出相关预测. 相似文献
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高束缚水饱和度低阻油层测井解释技术 总被引:16,自引:1,他引:16
依据室内核磁共振、毛管压力等多项实验分析资料 ,结合冀中地质实际、测井、试油资料 ,提出了基于核磁共振测井的储层束缚水饱和度校验方法和复杂地质条件下低电阻率油层测井解释技术。经过近两年在华北油田的实际应用 ,利用此技术可方便地定量评价由高束缚水饱和度引起的低电阻率油层 ,见到了明显效果 相似文献