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异佛尔酮二异氰酸酯三聚体的合成 总被引:6,自引:0,他引:6
合成了3-异氰酸酯基亚甲基-3,3,5-三甲基环己基二异氰酸酯(IPDI)三聚体,对合成中催化剂,反应温度、反应时间等进行了探讨,并用红外光谱进行了表征。结果表明,采用醋酸钾化催化剂,在50-90℃下反应,再经脱催化剂处理,可制得IPDI三聚体。 相似文献
3.
总结了我校预防医学实验教学模式中存在的问题,并提出了利用网络资源提升预防医学实验教学水平的方法,探索一条适合学科发展的预防医学实验教学模式。 相似文献
4.
采用含乙烯基聚硅氮烷为原料,利用先驱体转化法与有机泡沫浸渍法相结合制备SiCN泡沫陶瓷。通过聚氨酯泡沫及聚硅氮烷的热分析制定温度曲线,研究了裂解温度、浸渍/裂解增强处理次数等工艺参数对泡沫陶瓷抗压强度的影响,采用XRD、SEM及EDS对SiCN泡沫陶瓷进行了物相、微观结构及成分分析。结果表明,在1000~1400℃温度范围内,随着温度的升高,泡沫陶瓷的抗压强度先升高后降低,增强处理对提高抗压强度有明显效果,当裂解温度为1300℃,经二次增强处理后,试样的抗压强度达11.5MPa。XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构分析显示,SiCN泡沫陶瓷呈三维网状结构,具有良好的贯通性,开孔气孔率达到85%。 相似文献
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利用机械合金(MA)和放电等离子(SPS)烧结方法,制备出Bi85Sb15/x mol%AlN(x=0,0.1,0.2,0.3)块体材料。在77—300 K温区内,测试了块体材料的电导率、Seebeck系数、霍尔系数和热导率,并由此计算出材料的zT值。结果表明:纳米AlN分散的Bi85Sb15材料,随着AlN含量的增加,样品的迁移率升高,从而明显提高材料的电导率,但Seebeck系数绝对值呈减小趋势。适量的纳米AlN的引入可以形成散射中心,增加对声子的散射作用,降低热导率。当基体Bi85Sb15中加入0.1mol%AlN时,其zT值在250 K取得最大值~0.32,比基体在此温度下的zT值提高了45%。 相似文献
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通过理化检验和模拟试验对混合电路键合失效的原因进行了分析。结果表明:电路在生产和制造过程中,由于沾污和水气导致铝腐蚀。并针对故障现象和原因,阐述了铝腐蚀失效的机理,给出了控制电路沾污和水气的措施。 相似文献
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