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n型单晶硅片的电阻率和扩散方阻对IBC太阳电池电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的短路电流,且组件外观更加美观。但由于IBC太阳电池正负电极在背面交叉式分布,在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行隔离,难以实现大规模生产。采用Quokka软件仿真模拟了电阻率和扩散方阻对n型IBC太阳电池效率的影响,并对不同电阻率和扩散方阻的电池片进行了实验验证,从n型单晶硅片电阻率的选择和扩散工艺优化方面为IBC太阳电池的规模化生产提供了理论基础。实验结果表明,电阻率为3~5Ω·cm、扩散方阻为70Ω/时,小批量生产的IBC太阳电池平均光电转换效率可达23.73%,开路电压为693 mV,短路电流密度为42.44 mA/cm2,填充因子为80.69%。 相似文献
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研究了LD端面泵浦Nd:YVO晶体的腔内三次谐波转换的全固化脉冲紫外激光器,当LD抽运功率为20 W时,355 nm平均输出功率为80 mW,脉宽为13ns,并对实验结果进行了分析和讨论. 相似文献
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双脱硫剂在裂化气脱硫装置上的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
为解决气体脱硫装置使用单乙醇胺脱硫剂溶剂循环量较大,装置能耗高的问题,采用以甲基二乙醇胺为主的SSH-1脱硫剂与单乙醇胺混合使用,在催化裂化液化气、干气脱硫装置上进行了工业试验。试验结果表明,SSH-1脱硫剂对H2S有良好的选择性,酸性气中H2S含量达70%;液化气及干气脱硫后H2S含量均<5mg/m3;与只用单乙醇胺相比,在原料气含硫量相近的情况下,其溶剂的循环量、再生蒸汽量、循环水用量、电耗等都有较大幅度的降低。 相似文献
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目的: 硫化氢(hydrogen sulfide, H2S)为一种假定的血管内皮衍生超极化因子(endothelium- derived hyperpolarizing factor, EDHF),本研究探讨外源性H2S,即外源性假定的EDHF对脑缺血再灌注损伤的影响。方法: 采用线栓法复制大鼠局灶性脑缺血(MCAO)再灌注损伤模型,测定动物行为功能、脑组织梗死体积、脑组织含水量、血清乳酸脱氢酶(LDH)活性及丙二醛(MDA)含量,用HE染色法观察脑组织学改变。结果: H2S供体硫氢化钠(NaHS, i.v.) 0.195、0.390、0.780 mg/kg 能明显改善神经功能状态,降低缺血再灌注后脑梗死体积百分比,降低脑含水量,显著地抑制局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠血清MDA含量和LDH活性,并不同程度地改善大鼠脑病理组织学的变化。结论: NaHS可明显改善大鼠脑缺血再灌注性损伤,提示外源性EDHF (H2S)有抗脑缺血再灌损伤作用。 相似文献
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叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的光电转换效率。但由于IBC太阳电池在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行发射极和背电场隔离,导致工艺流程复杂、电池片稳定性较差,难以实现大规模生产。研究了不同厚度的SiO2薄膜、SiNx薄膜和SiO2-SiNx叠层薄膜对IBC太阳电池钝化性能、减反射效果、热稳定性能和电性能的影响,实验结果表明,SiO2-SiNx叠层薄膜在较宽的光谱范围内减反射效果更佳,高温热生长的20 nm厚的SiO2薄膜便表现出良好的热稳定性,当选用SiO2-SiNx(厚度分别为20和40 nm)叠层薄膜时,制备的IBC太阳电池光电转换效率稳定,可达24.1%,对应的开路电压为698 mV,短路电流密度为43.25 mA/cm2,填充因子为79.87%。 相似文献
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文章介绍了连续二极管激光器(LD)端面泵浦Nd:YVO4晶体,在200-5000Hz电光调Q的情况下的激光输出特性。当二极管输入电流在25A(约10w),电光Q开关重复率为1kHz时,532nm激光的平均输出功率为28mW,脉宽为20ns。并对实验结果进行了分析和讨论。 相似文献
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介绍了二极管连续激光器(LD)端面泵浦Nd:YVO4晶体,在200~5000Hz电光调Q的情况下激光输出的特性。当二极管输入电流10W,电光Q开关重复频率为1kHz时,355nm激光的平均输出功率为15mW,脉宽为20ns。并对实验结果进行了分析和讨论。 相似文献
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介绍了二极管连续激光器(LD)端面泵浦Nd:YVO4晶体,在200~5000 Hz电光调Q的情况下激光输出的特性.当二极管输入电流10W,电光Q开关重复频率为1kHz时,355nm激光的平均输出功率为15mW,脉宽为20ns.并对实验结果进行了分析和讨论. 相似文献
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