沉积气压对磁控溅射Ta_2O_5薄膜光学性能的影响

本文采用射频磁控溅射技术分别在玻璃和硅基底上沉积Ta_2O_5薄膜,研究沉积气压的变化对薄膜光学性能的影响规律。利用UV-3600分光光度计、椭圆偏振谱仪对薄膜的光学常数及性能进行了测试。结果表明,薄膜的沉积速率随着沉积气压的增大而减小,0.6 Pa时沉积速率达最大为0.011 nm/s。在可见光区所有薄膜的平均透射率均大于80%,属于透明薄膜。薄膜的平均透射率随着沉积气压的增大而增大,当沉积气压为1.2 Pa时平均透射率最大值为85.37%,通过传输矩阵法拟合计算,验证了Ta_2O_5薄膜的光学常数。     

退火温度对磁控溅射氧化钒薄膜结构和光学性能的影响

采用射频磁控溅射技术在玻璃基底上沉积VO_x薄膜,随后在不同温度下进行退火处理,研究退火温度对薄膜结构和光学性能的影响。利用X射线衍射、扫描电镜、分光光度计分别测试了物相结构、表面形貌、光学性能。结果表明,退火处理使薄膜样品由处理前的非晶态转变成晶态。随着退火温度的升高,薄膜的平均晶粒尺寸逐渐增大。退火后薄膜的透射率比退火前的偏小,当退火温度由300℃升高到500℃时,薄膜的吸收带边向长波方向偏移,出现红移现象,薄膜的吸收率也随之升高。在晶化的样品中,退火温度为300℃时的薄膜透射率最好;退火温度为500℃时,薄膜的晶粒度均匀性最好。