HFCVD法制备SiC材料及结构分析

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.实验结果表明所制备的样品为SiC晶体.     

氦辐射线吸收谱等效宽度的理论分析

为了实现激光雷达对热层氦浓度的探测,本文理论计算了高斯线型、洛伦兹线型及佛克脱线型下亚稳态氦1083 nm辐射线吸收谱的等效宽度,结果表明佛克脱线型包含其他展宽机制信息,是最接近实际的光谱线型;亚稳态氦1083 nm辐射线的等效宽度的数量级为10-4;在热层温度范围内,等效宽度随温度的变化近似成线性关系;且随着波长的减小,等效宽度会增大。对于388.9 nm和318.8 nm两条辐射线也进行了计算,得出的结论与上述结论相似。此计算对于实现激光雷达对热层氦浓度的探测具有一定的参考意义。     

热丝化学气相沉积(HFCVD)制备纳米晶态SiC紫外发光特性研究

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术在Si(111)衬底上生长了SiC薄膜.通过电子能谱(EDX)、X射线衍射(XRD)和时间分辨光谱等分析手段对样品结构、组分进行了分析.实验结果表明所制备的样品为纳米晶态SiC,并通过计算得到验证,对所制备样品进行光致发光特性测试,观察到其在室温下有较强的紫外发光.     

ACu3Ti4O12(A=Ca, Sr, Ba)的介电性能

利用传统固相反应法制备理想摩尔配比的CaCu3Ti4O12(CCTO)、SrCu3Ti4O12(SCTO)和BaCu3Ti4O12(BCTO)陶瓷样品,测量它们在不同频率下的介电常数和介电损耗随温度的变化关系.结果发现,CaCu3Ti4O12的介电性能基本上属于德拜弛豫,而造成SCTO和BCTO与CCTO介电性能差异巨大的原因是结构的畸变和杂相的出现.