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采用溶胶凝胶法合成了Sr3Al2O6:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,利用X射线衍射仪(XRD)对材料的物相进行了分析,采用荧光分光光度计、照度计测定了样品的发光特性。XRD结果表明:随着煅烧温度的升高,SrCO3杂相的衍射峰越来越弱,Sr3Al2O6相的衍射峰越来越强,1200℃时发光基质为纯的Sr3Al2O6相,1250℃时出现新的SrAl2O4杂相。激发光谱和发射光谱结果表明:长余辉发光材料的激发峰位于473nm,发射峰位于612nm,归属于Eu2+的4f65d1→4f7特征发光。温度升至1250℃时,Eu2+的发射峰为612nm和520nm,后者归属于Eu2+在发光基质SrAl2O4中的发光。综合分析得制备Sr3Al2O6:Eu2+,Dy3+发光材料合适的煅烧温度为1200℃,在此温度下,材料具有较好的初始亮度和余辉时间。 相似文献
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镁合金表面加弧辉光离子渗镀Ti的腐蚀性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
加弧辉光离子渗镀技术将辉光放电与弧光放电有机地结合起来,利用辉光放电空心阴极效应使工件迅速升温,同时在真空容器壁上设置一个或多个金属阴极电弧靶源,利用真空电弧放电而不断地发射出高能量、高电流密度、高离化率的欲渗金属离子流,依靠扩散和离子轰击作用快速渗入工件表面层,在工件表面可以形成渗层、镀层、渗镀结合层.在实验条件下对镁合金AZ91表面渗镀了Ti,采用极化曲线测试和盐雾实验分析了处理后材料的腐蚀行为,用扫描电镜(SEM)分析了Ti镀膜的表面形貌,用电子衍射光谱(EDS)和辉光放电光谱仪(GDS)分析了表面化学成分分布.结果表明渗镀Ti显著提高了AZ91的耐腐蚀性. 相似文献
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Al2O3粉末对镁合金微弧氧化陶瓷膜的显微结构及其耐蚀性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在已优化的Na2SiO4-Na3PO4复合体系溶液中加入Al2O3粉末对AZ91D镁合金进行了微弧氧化处理。用SEM、XRD分析了加入Al2O3粉末对陶瓷膜的形貌特征和相成分的影响。结果表明,加入Al2O3粉末后陶瓷膜孔洞减少,且疏松层变得紧实;膜层相成分增加了Al2O3。在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀试验表明,加入Al2O3粉末后陶瓷膜的耐蚀性有很大提高。 相似文献
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采用液相沉积法在发光粉SrAl2O4:Eu2+,Dy3+表面包覆了MgF2膜。借助酸度仪、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计等分析手段对粉体包覆前后的物相组成、表面形貌和能谱、耐水性能、激发和发射光谱及余辉性能进行了表征。结果表明:包覆MgF2后样品的物相未发生改变,粉体表面变得粗糙,耐水性能显著提高;包覆样品的发射光谱和激发光谱峰的位置未发生改变,但相对强度随包覆量的增加而降低;初始亮度和余辉时间随包覆量的增加亦呈减小的趋势。综合考虑耐水性能、光谱性能和余辉性能的要求,选取MgF2最佳包覆量为25%。 相似文献
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以金属硝酸盐和钛酸丁酯为原料,乙酰丙酮为螯合剂,采用溶胶-凝胶法制备了Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+红色长余辉发光粉体。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计对不同温度合成的样品性能进行测试与表征。结果表明:干凝胶在600℃保温2 h生成了立方相的前驱体Y2O3:Eu3+,Mg2+,Ti4+。前驱体在1050~1150℃硫化后的产物为Y2O3与Y2O2S的混合相,在1 200℃时,硫化生成纯相的Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+,产物平均粒径约为150nm,1300℃时再次出现Y2O3相。与高温固相法相比,溶胶-凝胶法制备的样品主激发峰出现蓝移,主发射峰位于616nm和626nm处,对应于Eu3+的5D0→7F2跃迁;硫化温度为1200℃时,样品的余辉时间为40min。 相似文献
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用高温固相烧结法制备了V~(5+)掺杂的Bi_3.25La_0.75Ti_3O_(12)(BLT)层状结构铁电陶瓷.利用XRD对Bi_3.25La_0.75Ti_(3-x)VxO_(12+x/2)(BLTV-x)材料结构进行了晶相分析,结果表明所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构.样品的介电常数温度谱显示:V~(5+)掺杂提高了材料的介电常数,x=0.03时介电常数最大,但样品的居里温度并没有发生大的变化.样品的介电损耗谱表明:由于V~(5+)掺入,由氧空位引起的样品介电损耗被极大的压制,在x=0.06时损耗最小.通过对材料的直流电导与温度关系的Arrhenius拟合,分析了样品的导电机理,结果显示V~(5+)的掺杂大大降低了材料中氧空位的浓度,使得陶瓷样品的电性能得到了很好的改善. 相似文献
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利用固相烧结工艺制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷,研究了过量Bi2O3对SBTi陶瓷烧结特性的影响,结果表明在1150℃以下烧结的Bi不过量的样品完全由SBTi相组成,当烧结温度提高到1175℃时,样品中出现了微量焦绿石结构(Sr,Bi)2Ti2O7相,当烧结温度提高到1200℃,样品中出现了(Sr,Bi)2Ti2O7和Sr2Bi4TisO18相.随着烧结温度的提高,SBTi陶瓷材料的晶粒逐渐长大,但晶粒沿a(6)-轴方向生长迅速,而沿c-轴方向晶粒的生长十分缓慢,导致材料c-轴取向度明显增强.过量Bi2O3的加入可在降低烧结温度的同时提高材料的密度,可补偿高温烧结过程中Bi的挥发,抑制焦绿石相(sr,Bi)2Ti2O7的生成及插入型层错的产生.在相同的烧结温度下,随着过量的Bi2O3量的增加,材料的c-轴取向度逐渐增大. 相似文献
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In order to improve the luminescence properties of CaTiO3:Pr3+, a series of CaTiO3:Pr3+, such as CaTi0.97Nb0.03O3:Pr3+, Ca0.8Zn0.2TiO3: Pr3+, Ca0.8Zn0.2Ti0.97Nb0.03O3:Pr3+ and B3+-doped Ca0.8Zn0.2Ti0.97Nb0.03O3: Pr3+ were prepared through conventional solid state reaction method. The results of the photoluminescence excitation and emission spectra showed that all the samples emitted red phosphorescence at 612 nm originating from 1D2 to 3H4 emission of Pr3+ under the 337 nm excitation. When examined by the X-ray diffraction (XRD), all the samples presented a predominant phase of CaTiO3 (JCPDS# 42-423) except Zn2+-doped samples which also revealed another phase of Zn2Ti3O8 (JCPDS# 73-579). The results of the afterglow decay curves showed that co-doping Zn2+ ions, Nb5+ ions or adding a small amount of B3+ into Ca0.8Zn0.2Ti0.97Nb0.03O3:Pr3+ were effective in improving the photoluminescence properties of CaTiO3:Pr3+ phosphor. Thermoluminescence results showed that the trap existing in all the samples was the same as in CaTiO3:Pr3+ and doping singly Nb5+ or Zn2+ hardly changed the trap depth but co-doping Nb5+ and Zn2+ could modify the trapping level from 0.63 to 1.26 eV distinctively. In addition, adding a certain amount of B3+ into CTO-PZN could also deepen the trap depth. 相似文献