低温铝钎料的研制及使用方法

在研制某半导体集成器件时，需要在其0.5 μm铝膜上钎焊“引出电极”。由于该集成器 件芯片是高纯产品，其钎焊时温度不允许超过200 ℃，不能承受一般的机械应力，钎焊时绝 不允许使用任何形式的助焊剂，要求条件极为苛刻。给“引出电极”的钎焊带来了很大的困 难。采用其它钎焊方法，效果均不满意，为了解决上述难题，专门研制了低温铝钎料。1 低温铝钎料的研制1.1 技术要求(1)无需采用任何形式的助焊剂；(2)焊前铝层或薄铝层的自然氧化膜不用处理，防止不必 要的机械应力损伤；(3)钎料的熔点要远低于200 ℃热应力损伤临界点；(4)润湿性好…     

一种治疗非晶硅太阳电池缺陷的新方法

用“电压法”,治疗ａ．Ｓｉ薄膜太阳电池,烧断ｐｎ结中漏电沟道,使被治疗样品的性能变坏。“库仑法”根据样品漏电多少,决定用于治疗电池的电荷积分多少,没有剩余电荷,不会影响电池性能,可用于ａ．Ｓｉ薄膜电池的研究与规模生产。