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1.
泛在学习为教育改革提供了新的视角.依据对泛在学习主要特征的分析,提出了泛在学习环境模型,并讨论了支持泛在学习的关键技术. 相似文献
2.
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4.
低温沉积硅薄膜微结构的Raman分析 总被引:1,自引:1,他引:1
用Raman散射谱研究了以SiH4/H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备的一系列硅薄膜的微结构特征.结果表明:在常规气压和常规功率下,衬底温度在200~500 ℃之间,存在结晶最佳点,400 ℃结晶效果相对最好;在高压高功率下沉积和常压常功率下沉积相比,高压高功率更有利于薄膜晶化;低温短时的高气压高功率沉积,玻璃衬底与铝覆盖的玻璃衬底相比,玻璃上的硅薄膜晶粒尺寸更大,而铝覆盖的玻璃衬底上的硅薄膜的晶化率更高. 相似文献
5.
本试验着重探讨了由新疆地区原始的“瓜打吊针”滴灌方式发展成的用滴灌袋做为输水器的滴灌方法在棚室中的应用效果。采用了对比试验的方法收集试验数据,并做了试验结果的具体分析,最后对滴灌袋式的膜下滴灌做了评述及总结。 相似文献
6.
7.
8.
氢在微晶硅薄膜低温沉积及退火过程中的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在玻璃衬底上不同的氢稀释比下低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜.利用拉曼(Raman)散射谱研究显示当H2稀释比从95%升高到99%,所得硅膜晶粒大小从2.98 nm增加8.79 nm,晶化率从24%增加到91%;暗电导测试结果从1.32×10-6scm-1增加到7.24×10-3scm-1;沉积速率却大大降低.沉积出的薄膜在进行高温炉退火后,扫描电镜(SEM)显示样品表面孔洞变大增多,推测是氢逸出所致. 相似文献
9.
张丽伟 《水科学与工程技术》2014,(1):43-45
由于三次抛物线形断面正常水深求解涉及不可积分函数和超越方程计算问题,无法采用解析法完成。但通过引入二次抛物线近似积分法及优化拟合法,经逐次逼近拟合,获得了表达形式简单、计算过程简捷,实用范围广、便于工程设计人员实际应用的近似计算通式。误差分析及算例计算表明,在工程实用范围内,该算式的最大计算相对误差为0.941%,完全满足工程的设计精度要求,具有推广应用价值。 相似文献
10.