全文获取类型
收费全文 | 127篇 |
免费 | 3篇 |
国内免费 | 1篇 |
专业分类
综合类 | 2篇 |
化学工业 | 2篇 |
金属工艺 | 27篇 |
机械仪表 | 20篇 |
矿业工程 | 30篇 |
一般工业技术 | 20篇 |
冶金工业 | 30篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 1篇 |
2016年 | 1篇 |
2014年 | 1篇 |
2013年 | 1篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 5篇 |
2008年 | 16篇 |
2007年 | 13篇 |
2006年 | 10篇 |
2005年 | 1篇 |
2003年 | 12篇 |
2002年 | 9篇 |
2001年 | 14篇 |
2000年 | 8篇 |
1999年 | 7篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 3篇 |
1991年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有131条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
为了改善K403镍基高温合金的高温抗氧化性能,采用大气等离子喷涂在镍基合金表面制备了4种不同结构的MoSi2复合涂层。结果表明:4种结构涂层中K403/NiCoCrAlY/ZrO2/30%(体积分数)ZrO2-MoSi2/MoSi2复合涂层的抗热震性能最好,且该涂层的界面结合强度最高(22.5 MPa)。MoSi2涂层的自身结合强度大于涂层界面结合强度,结合机理以机械咬合式为主。该复合涂层在1 200℃氧化120 h后的质量增加仅为3.42 mg/cm2,提高K403合金和传统氧化锆涂层的抗氧化性能。MoSi2复合涂层表面在高温时生成了一层致密的SiO2保护膜,阻碍了氧的扩散,减轻了过渡层NiCoCrAlY/ZrO2界面处的氧化。 相似文献
2.
3.
在M - 2 0 0型磨损试验机上进行了金属间化合物MoSi2 / 4 5 # 钢的摩擦磨损试验 ,考察了载荷和润滑状态对MoSi2 材料摩擦磨损性能的影响 ,采用扫描电子显微镜 (SEM)和微探针观察了其磨损形貌 ,并分析了其磨损机理。结果表明 :油润滑明显改善了MoSi2 材料的摩擦学性能。MoSi2 材料的磨损机理在低载荷 (5 0~ 80N)下主要表现为疲劳磨损和磨粒磨损 ,高载荷 (12 0N以上 )下以氧化磨损为主。载荷为 15 0N时 ,MoSi2 材料具有较好的综合摩擦磨损性能 ,摩擦系数和磨损率分别为 0 1和 0 0 0 9g·km-1。 相似文献
4.
采用自蔓延高温合成(SHS)和机械合金化(MA)方法复合制备了稀土质量分数为0.2%~2.0%的WSi2/MoSi2复合材料.利用MRH-5A型环一块式摩擦磨损试验机测定了复合材料试样与CrWMn钢在油润滑条件下的滑动磨损性能,研究了稀土含量对材料的微观结构、力学性能以及摩擦学性能的影响.结果表明:稀土增强的WSi2/MoSi2复合材料具有细晶组织结构,较高的抗弯强度、硬度和断裂韧性以及较好的耐磨性能,在稀土质量分数为0.5%~0.8%时,复合材料具有最佳的力学性能和摩擦学性能.基体的致密化及强化有利于降低其摩擦磨损.此外,采用SHS+MA工艺可在低的烧结温度获得高致密度的复合材料. 相似文献
5.
6.
WC颗粒增强铜基复合材料的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
用粉末冶金法制备了WC增强的WC/Cu复合材料,研究了WC含量对复合材料性能的影响,分析了复合材料的再结晶行为,结果表明:WC体积含量为1.6%时,细小的WC粒子均匀分布,弥散效果好,材料的密度为8.41g/cm^3,硬度为HV151,电导率为85%IACS,其综合性能较优;WC粒子能显提高复合材料的再结晶温度。图6,表1,参10. 相似文献
7.
采用高温自蔓延合成了MoSi2粉末,经冷压和高温真空烧结成试样。在XP-5型高温摩擦磨损试验机上,考察了MoSi2与Al2O3陶瓷在1 000℃对摩时的摩擦磨损特性。通过带微探针的扫描电子显微镜(SEM)观察与分析了试样表面的磨损形貌及成分组成,并讨论了其磨损机理。结果表明,MoSi2的高温磨损过程存在跑合、过渡期和稳定磨损3个阶段,小于50 N时该材料具有较好的耐磨性;虽然粘着磨损普遍存在,但随着载荷的增大,MoSi2的磨损机理依次还表现出研磨、塑性变形与疲劳断裂。 相似文献
8.
稀土对MoSi2低温氧化行为的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
利用热重量分析法(简称TGA法)、X-射线衍射(X-Ray)和扫描电镜观察(SEM)分析了稀土在MoSi2低温下氧化中的作用。结果表明,稀土的加入促进了MoSi2的氧化程度,但未发现“PEST”现象。 相似文献
9.
SiGw/MoSi2的化学炉自蔓延高温合成及反应过程研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用"化学炉"自蔓延高温合成(COSHS)技术,成功地原位合成了SiCw/MoSi2复合粉体.通过在原料中引入Si3N4晶须,在产物中获得了SiC晶须.XRD结果表明,产物中除了主要的MoSi2和SiC相,还含有少量的Mo4.8SiC0.6.研究了中间产物的相组成和反应过程中的温度变化,指出"化学炉"自蔓延合成SiCw/MoSi2复合粉体的反应过程包括如下两步反应:①Mo与Si自蔓延反应生成MoSi2;②Si3N4与C反应生成SiC和N2. 相似文献
10.
通过排水法测定了MoSi2和SiC/MoSi2烧结块的密度,讨论了烧结温度的影响。结果表明,SiC的加入提高了MoSi2材料的烧结开始温度约200℃。 相似文献