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用透射电子显微镜和X射线衍射方法研究Si衬底上的Co薄膜氧化.发现:在550℃以下,薄膜氧化产物是CoO;在900℃再次进行真空热处理,CoO能转变为硅化物.薄膜氧化,对Co/Si界面硅化物转变有影响. 相似文献
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用俄歇电子能谱(AES)和扫描电镜(SEM)研究了超低碳钢在900℃等温时P,S,C,B等杂质元素在晶界的偏聚问题,结果发现,等温初期P,B在晶界的含量出现峰值,保温一定时间后,晶界S含量也出现峰值碳的晶体含量随等温时间递增,长时间等温,偏聚到晶界的组元发生相互作用和位置竞争。 相似文献
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Co—Si界面低温(≤450℃)相变的电子显微术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用透射电镜的衍射方法,研究Co薄膜和衬底之间的界面的低温相变。用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现:室温下薄膜没有相变。在250℃,Co2Si为最先形成的硅化物;250℃30分钟处理后,产生大量的CoSi相。450C1小时处理形成单相的CoSi。从本实验结果与前人研究结果对比发现:观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果。 相似文献
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连续冷却过程中低碳贝氏体钢的晶界化学 总被引:1,自引:0,他引:1
用俄歇电子能谱仪分析了低碳贝氏体钢奥氏体后炉冷,空冷,油冷和水冷时C,B,P,S等元素在晶界的偏聚行为,结果发现:在不同冷却速度下,各元素在晶界的偏聚量不同,慢冷速,B,P晶界浓度较高,快冷速下S晶界浓度较高。C在晶界的浓度随冷速的提高增加至一定值后趋于平衡,晶界上元素C,B,P,S之间,存在化学相互作用及位置竞争现象,用扫描电镜观察了断口形貌。 相似文献