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叙述了利用多道分析仪标定闪烁探测器光输出曲线的原理,用挡锥法消除了大厅散射中子和γ本底的影响,通过空靶(不含D和T)实验消除了靶头产生的γ的影响.实现了闪烁探测器中子光输出曲线的标定. 相似文献
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目的为了获取与~(90)Sr同位素电池匹配的放射源,研发一种在指定非金属衬底材料上制作薄膜型~(90)Sr放射源的工艺。方法双环己烷-18-冠醚-6是一种既可配位锶离子,又具有良好抗辐照性能的分子,采用配位法将硝酸锶负载在该冠醚分子上,并溶解于高分子成膜剂中,在衬底材料上滴加后,自然晾干制备成含锶膜层。对制备结果进行了IR、TG、DSC、EDS、元素分析表征,考察了膜与衬底材料之间在经过116 k Gy剂量的γ辐照前后的结合力。结果该工艺实现了锶加载率大于93%,辐照后薄膜振荡掉粉率的增加小于1.3%。示踪实验表明,薄膜中表征锶分布不均匀性的相对标准偏差在7%左右。结论该工艺能够在衬底材料上获取~(90)Sr放射性薄膜,膜与衬底之间结合牢固,锶分布均匀性满足相关行业标准。 相似文献
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为解决分布式脉冲源的产额绝对测量问题,实验根据脉冲源的分布和相互之间的权重,推出等效距离进行数据处理;蒙特卡罗程序研究不同分布脉冲源的出射粒子在晶体中的沉积能量和穿过晶体面的积分流量,确定它们相互之间的比例关系;实验结果与计算数据进行比较,两者近似一致,验证了实验方法的可靠性. 相似文献
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提出了一种新的硅PIN探测器组合结构,使其适用于n、γ混合脉冲辐射场中脉冲中子的测量。分别利用三通道脉冲γ发生器和DPF脉冲中子发生器对组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果进行了测量研究,实验结果表明组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果均达97%以上。 相似文献
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设计制作了一个电流型快法中子探测器,探测器的线性电流、增益和时间特性可以满足对中子产额为2×104个,脉冲,总作用时间为200ns的脉冲中子源的中子产额测量的需求. 相似文献
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根据真空型康普顿探测器的结构及其工作原理,对其γ射线灵敏度进行M.C模拟计算,并和实验标定结果进行比较,两者在不确定度范围内符合得很好.通过实验校准后的M.C模型,可以拓展到探测器γ能量响应曲线的计算.该工作为获取真空型康普顿探测器可靠的γ射线灵敏度以及γ能量响应提供了一条经济适用的技术途径. 相似文献