硅基上纳米铁颗粒薄膜的制备

单晶硅基底上沉积铁膜，在不同温度下用氨气对其进行刻蚀，研究温度和铁膜厚度对铁颗粒大小和分布的影响。SEM图像显示，氨气对铁膜表面具有明显的刻蚀作用，可以使铁膜刻蚀为纳米级的颗粒；刻蚀温度对于刻蚀后铁颗粒的大小和分布有非常重要的影响，刻蚀温度越高，则得到的铁颗粒越大，分布也就越稀疏；2纳米厚的铁膜在750℃下用氨气刻蚀可以得到粒径小于100m的铁颗粒薄膜，铁膜厚度大，则得到的铁颗粒也就越大。     

单晶硅基表面碳纳米管薄膜的制备研究

以乙炔气为反应气体 ,采用催化裂解方法 ,在沉积有铁催化剂膜的单晶硅基体上研究碳纳米管薄膜的制备。研究表明 ,由于催化剂的作用 ,在硅基体上能够形成直径为 5 0～ 10 0nm的碳纳米管 ;铁催化剂膜的粒径大小和分散状态对碳钠米管薄膜的厚度、管径和均匀性起着关键作用 ;氢氟酸水溶液处理的催化剂膜有利于铁催化剂颗粒的分散和均匀化 ,能形成比较好的碳纳米管薄膜。由电镜分析发现 ,在单晶硅基体上生长的碳纳米管为顶端生长模式     

高密度碳纳米管阵列制备研究

采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备了定向生长的碳纳米管,系统研究了定向生长碳纳米管阵列的制备工艺.综合调整催化剂的厚度、氨刻蚀温度和刻蚀时间,可以获得高颗粒密度分布的催化剂薄膜.厚度为10 nm左右的催化剂铁膜结构于750℃氨刻蚀后可以在单晶硅表面得到分布密度较高的铁颗粒膜.利用这种催化剂薄膜,以乙炔和氢气分别作为碳源和载气,流量体积比为150/400mL/min时,可以获得管型准直、排列紧密的碳纳米管阵列.最后对碳纳米管的生长随时间变化的规律进行了研究.     

单晶硅基表面碳纳米管薄膜的制备研究

以乙炔气为反应气体，采用催化裂解方法，在沉积有铁催化剂膜的单晶硅基体上研究碳纳米管薄膜的制备。研究表明，由于催化剂的作用，在硅基体上能够形成直径为50-100nm的碳纳米管；铁催化剂膜的粒径大小和分散状态对碳钠米管薄膜的厚度、管径和均匀性起着关键作用；氢氟酸水溶液处理的催化剂膜有利于铁催化剂颗粒的分散和均匀化，能形成比较好的碳纳米管薄膜。由电镜分析发现，在单晶硅基体上生长的碳纳米管为顶端生长模式。