单端正激逆变焊机电路的分析与设计

单端正激逆变电路与全桥逆变电路和半桥逆变电路相比,双管复位电路在开关管断开时将其电压箝位在输入电压,有效降低了开关管的电压应力,不存在桥臂直通现象,可靠性高。对双管复位的单端正激逆变电路进行了原理分析,设计了主电路。选择主要元器件参数时要注意IGBT尖峰电压的影响。     

微小卫星PPT充电电源技术的现状与展望

应用于微小卫星上PPT的高压电容充电电源普遍具有效率低的缺点.文章对国内外已经报道及应用的PPU充电电源拓扑与充电方式等方面进行调研与总结;分别介绍了目前充电电源所用的单端反激拓扑、双单端反激输出串联结构、推挽拓扑和串联谐振变换器模块,总结了各种充电电源拓扑技术特点;最后结合我国PPU充电电源的发展需求,对充电电源新技...     

直流磁控溅射技术在柔性基底上制备光电屏蔽薄膜的研究

目的 研究离子束清洗活化和直流磁控溅射工艺参数对聚酰亚胺-铝薄膜光电性能的影响,确定最佳的制备工艺参数.方法 单一改变离子束活化工艺参数(离子源功率、气体流量和走带速率)和磁控溅射控制参数(真空度、离子能量、离子束流、温度、气体流量、走带速率及走带张力),研究薄膜吸收率、附着力和薄膜外观变化规律.借助扫描电镜、光学仪器和电磁信号测试设备,对最佳工艺条件下制备的薄膜的形貌、透过率、电磁信号衰减频率进行了测试.结果 在离子源功率为1260 W、气体流量为120 mL/min、走带速率为0.3 m/min,镀膜辊温度为10℃,溅射功率为10000 W的条件下,制备的聚酰亚胺-铝光电屏蔽膜太阳吸收率最小为0.09,膜层附着力强,没有异常放电现象,表面光滑.铝在微观状态下呈现微小颗粒状态,表面致密.在0.4～14μm波段范围内,薄膜透射率<3.5％;在3～15 GHz频率范围内,薄膜电磁信号衰减率>30 dB.结论 通过直流磁控溅射技术制备的聚酰亚胺-铝光电屏蔽膜具有优异的光学性能和电磁屏蔽性能,在热控薄膜、屏蔽膜等领域具有广泛的应用前景.