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采用直流射频耦合磁控溅射技术,以氧化锌掺铝(AZO,2%Al_2O_3,质量分数)陶瓷靶为靶材,在玻璃基片上低温沉积AZO薄膜,并采用质量分数为0.5%的HCl溶液刻蚀制备绒面AZO薄膜,通过XRD、SEM、分光光度计、霍尔效应测试系统、光电雾度仪等设备重点研究工作压强对直流射频耦合磁控溅射制备AZO薄膜的晶相结构、表面形貌、光电性能以及后期制绒的影响。研究表明,直流射频耦合磁控溅射可以在低温下制备性能优异的AZO薄膜,且随着工作压强的减小,致密性增强,光电性能改善,后期刻蚀得到具有良好陷光作用的绒面结构。在工作压强0.5 Pa下,低温制备的AZO薄膜电阻率达到3.55×10~(-4)Ω·cm,薄膜可见光透过达到88.36%,刻蚀后电阻率为4.19×10~(-4)Ω·cm,可见光透过率89.59%,雾度达24.7%。 相似文献
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X射线衍射、电子显微镜和硬度的研究结果表明。淬火态合金析出平行(0001)_(Mg)和{1010)Mg面的溶质原子聚集区.150和220℃的时效过程分别为:过饱和固溶体→β’_1→重溶→β’_2→β’_2→+β,和过饱和固溶体→β’_2→β’_2→+β.β’_1显二维和三维形态,而β’_2以垂直(0001)Mg面的一维细杆物析出.150℃时效初期析出β’_1,存在时间极短,后期β’_2和β长期共存.初步测定了β’_1和β’_2的结构参数及取向关系. 添加Al促进时效析出,并提高β’_2的热稳定性. 相似文献
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X射线衍射、电子显微镜和硬度的研究结果表明。淬火态合金析出平行(0001)_(Mg)和{1010)Mg面的溶质原子聚集区.150和220℃的时效过程分别为:过饱和固溶体→β’_1→重溶→β’_2→β’_2→+β,和过饱和固溶体→β’_2→β’_2→+β.β’_1显二维和三维形态,而β’_2以垂直(0001)Mg面的一维细杆物析出.150℃时效初期析出β’_1,存在时间极短,后期β’_2和β长期共存.初步测定了β’_1和β’_2的结构参数及取向关系. 添加Al促进时效析出,并提高β’_2的热稳定性. 相似文献
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