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微/纳米复合多层金刚石自支撑膜的制备及应力研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用大功率DC Arc Plasma Jet CVD装置,采用Ar-H2-CH4混合气体为气源,通过优化工艺参数,在多晶钼衬底上制备出了多层复合金刚石自支撑膜.利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼谱(Raman)对膜体进行表征,结果显示,多层膜体的组织结构体现了微米金刚石与纳米金刚石的典型特征;复合金刚石自支撑膜具有光滑的表面,微米层与纳米层间呈相互嵌套式的界面;此外,利用激光拉曼谱分析了多层膜中的内应力状态,研究发现,多层膜中各层膜体具有不同的内应力状态,内应力沿膜体生长方向有明显变化,呈现出从压应力到拉应力的变化过程. 相似文献
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本文采用30kW级直流电弧等离子体喷射法沉积自支撑金刚石膜,研究了大进气量条件下不同的甲烷浓度对金刚石膜的表面形貌及晶面取向的影响,当甲烷浓度达到一定程度时,出现纳米二次晶的形核,晶粒细化,微米金刚石转变成为纳米金刚石.同时不同的氩氢配比对金刚石膜的表面形貌也产生一定的影响.在高甲烷浓度的情况下,可以得到一种具有(111)取向的微米级金刚石膜.结果表明,随着甲烷浓度和氩氢比(Ar/H2)的增加,金刚石膜表面晶粒尺寸是呈逐渐减小趋势的,此外,通过控制甲烷浓度可以得到(111)晶面的高取向金刚石膜,当甲烷浓度为20%时,金刚石膜表面晶粒的(111)晶面可以达到高取向. 相似文献
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Two innovative de-embedding methods are proposed for extracting an electrical model for a throughsilicon -via(TSV) pair consisting of a ground-signal(GS) structure.In addition,based on microwave network theory, a new solution scheme is developed for dealing with multiple solutions of the transfer matrix during the process of de-embedding.A unique solution is determined based on the amplitude and the phase characteristic of S parameters. In the first de-embedding method,a typical "π" type model of the TSV pair is developed,which illustrates the need to allow for frequency dependence in the equivalent TSV pair Spice model.This de-embedding method is shown to be effective for extracting the electrical properties of the TSVs.The feasibility of a second de-embedding method is also investigated. 相似文献
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