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利用原位电阻测量、热重分析、电镜观察和电子探针等多种实验手段研究了Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_(10+δ)(下称BPSCCO)超导材料在不同温度(650—800℃)和不同氧分压(氧气、空气和氮气)下热处理过程中结构变化及其对超导电性的影响,实验结果表明,在稍高氧分压下退火,2223相中的Pb ̄(+2)离子将失稳析出体外,生成类Ca_2PbO_4杂相,导致电阻率和重量增加,其调制结构由纯Pb型(q=βb)逐渐变为纯Bi型(q=βb+c),在低氧分压下退火,类Ca_2PbO_4杂相将分解,整个过程基本可逆.此外还发现,适度析出类Ca_2PbO_4杂相,2223母相的超导转变温度将增高,材料的电传输特性亦将得到改善. 相似文献
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四种不同Ti浓度的Fe-Ti合金,加氮到N/Ti>1之后,发现有两个内耗峰,并且随氮浓度之增加而同时升高。20℃处的峰是氮的Snoek峰,160℃附近的是s-i峰。s-i峰的峰高和Ti浓度成线性关系,表明起峰的反应只涉及孤立的Ti原子,与Ti-Ti原子对或杂质原子团都无关系。提出了产生s-i峰的二种缺陷中心——Ti-N对缺陷和N-Ti-N仨缺陷——的模型(图7)。氮占Ti位就构成对缺陷,其中的Ti,N原子亲和力很强,只要合金中尚存有自由Ti原子,就不可能存有自由氮原子,因此N/Ti≤1以下,不会出现Snoek峰或s-i峰。N/Ti>1之后,多余氮原子要在对缺陷的OⅡ位和T_3位之间以约1:10的比例进行分配,直到绝大部分的对缺陷转化为仨缺陷。N/Ti(?)2以后,几乎所有的多余氮都进入了仨缺陷的OⅡ位,此时s-i峰的弛豫强度突然增加10倍。淬火时冻结在α-Fe基体中的过饱和氮、要扩散到OⅡ位(扩散距离~10(?)),以期达到室温下的再分配,因此引起Snoek峰室温下的迅速衰减。s-i峰的形状,只取决于多余氮的浓度,与淬火温度、冷却速度无关。 相似文献
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硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用 总被引:2,自引:2,他引:0
利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论. 相似文献
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YBa_2Cu_3O_x红外吸收谱中有两个特征吸收峰P_1(620~642cm~(-1))、P_3(540~585cm~(-1)),它们的频率和YBa_2Cu_3O_x中的氧含量密切相关,并且P_1、P_3吸收峰的频率在不同范围内分别对应YBa_2Cu_3O_x的正交相、四方相及正交相向四方相的过渡。根据实验结果,我们提出了一个简单模型来解释YBa_2Cu_3O_x的T_c值与其氧含量x之间的S形关系曲线。 相似文献
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四种不同Ti浓度的Fe-Ti合金,加氮到N/Ti>1之后,发现有两个内耗峰,并且随氮浓度之增加而同时升高。20℃处的峰是氮的Snoek峰,160℃附近的是s-i峰。s-i峰的峰高和Ti浓度成线性关系,表明起峰的反应只涉及孤立的Ti原子,与Ti-Ti原子对或杂质原子团都无关系。 提出了产生s-i峰的二种缺陷中心——Ti-N对缺陷和N-Ti-N仨缺陷——的模型(图7)。氮占Ti位就构成对缺陷,其中的Ti,N原子亲和力很强,只要合金中尚存有自由Ti原子,就不可能存有自由氮原子,因此N/Ti≤1以下,不会出现Snoek峰或s-i峰。N/Ti>1之后,多余氮原子要在对缺陷的OⅡ位和T_3位之间以约1:10的比例进行分配,直到绝大部分的对缺陷转化为仨缺陷。N/Ti(?)2以后,几乎所有的多余氮都进入了仨缺陷的OⅡ位,此时s-i峰的弛豫强度突然增加10倍。 淬火时冻结在α-Fe基体中的过饱和氮、要扩散到OⅡ位(扩散距离~10(?)),以期达到室温下的再分配,因此引起Snoek峰室温下的迅速衰减。s-i峰的形状,只取决于多余氮的浓度,与淬火温度、冷却速度无关。 相似文献
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报道了高碳CZ-Si经中子和电子辐照后产生氧-缺陷复合体的研究结果。电子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时转化成889、904、969、986、1000及1006cm~(-1)峰的退火曲线支持了Corbett和Stein提出的多重氧-缺陷复合体的模型。中子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时出现宽化现象是由于存在与830cm~(-1)峰组态相似的842、834和827cm~(-1)等卫星峰所致,并提出了对应于这些卫星峰的可能的缺陷模型。 相似文献
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众所周知,Bi系超导氧化物Bi_2Sr_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n+4+δ)晶体结构的特征是具有一维调制结构。其基本结构中的原子在位置和成份两方面沿[010]方向作周期性变化的结果,使(BiO)_2层中交替出现Bi密集和Bi疏稀的区域,形成a=0.54nm,b=2.7nm和C=2.46nm,3.1nm和3.7nm(对应于n=1,2和3的2201,2212和2223相)的调制结构。由于b和c较大,沿[100]方向较容易得到调制结构的晶格象。和一般晶体结构相类似,在调制结构中也会出现各种缺陷,我们利用[100]方向的晶格象。结合电子衍射图,研究了B_i系超导氧化物调制结构中的缺陷,讨论了它们的特征和作用。1.(001)90°旋转孪晶面(图1),一维调制使晶体对称性由四方降为正交,ab轴不等价,上部晶体沿[001]轴 相似文献
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