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1.
8相位256×256衍射微透镜的设计与制作   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了衍射微透镜阵列的设计原理与制作工艺方法,在此基础上研制出适用于3~5μm波长256×256PtSi红外焦平面的8相位256×256硅衍射微透镜阵列,阵列中微透镜的孔径为50μm,透镜F数为f/2.5,微透镜阵列的中心距为50μm.实测衍射效率大于80%,能在红外波前传感器中较好应用.  相似文献   
2.
1.3μm高增益偏振无关应变量子阱半导体光放大器   总被引:4,自引:2,他引:4  
马宏  易新建  陈四海 《中国激光》2004,31(8):71-974
采用低压金属有机化学气相外延法 (LP MOVPE)生长并制作了 1 3μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器 (SOA) ,有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱 (4C3T)结构 ,压应变阱宽为 6nm ,应变量 1 0 % ,张应变阱宽为 11nm ,应变量 - 0 95 % ;器件制作成 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。半导体光放大器腔面蒸镀Ti3 O5/Al2 O3 减反 (AR)膜以进一步降低腔面剩余反射率至 3× 10 -4以下 ;在 2 0 0mA驱动电流下 ,光放大器放大的自发辐射 (ASE)谱的 3dB带宽大于 5 0nm ,光谱波动小于 0 4dB ,半导体光放大器管芯的小信号增益近 30dB ,在 12 80~ 1340nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 6dB ,饱和输出功率大于 10dBm ,噪声指数 (NF)为 7 5dB。  相似文献   
3.
采用自制的多元复式碳(氮)化物陶瓷粉末制备少Mo的(Ti,W,Ta,Mo)(C,N)-(Co,Ni)金属陶瓷。研究了粉末相组成对金属陶瓷组织及性能的影响。结果表明,多元复式碳(氮)化物固溶体的晶格常数与元素的固溶度有很好的对应关系。金属陶瓷中含Ta,W等重金属元素的多元复式碳化物的加入,有利于重金属元素向粘结相中均匀扩散,相对减缓了低元相Ti(C,N)的分解,使材料的性能得到较大的提高,组织主要表现为单层环形相结构特征,富Ti硬质相减少,富(Ta,W)硬质相增多,且晶粒细小,无团聚现象。  相似文献   
4.
二元光学法在微透镜制作中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
对二元光学的产生和发展作了介绍,并阐述了二元光学元件之一的微透镜(microlenses)的设计、制作和测试方法以及它们的主要应用。微透镜的设计是基于已成熟的标量衍射理论;而其制作过程包括:计算机设计波面相位、产生掩模版、光刻或离子(束)蚀刻以及复制产生微透镜,其关键技术蚀刻方法有等离子蚀刻技术和反应离子蚀刻RIE(Reactive Ion Etching)技术;微透镜的测试主要包括衍射效率(diffractive efficiency)和点扩散函数(PSF)的测试,有直接法和间接法两种测试方法。微透镜可以微型化与阵列化,并且可以同微电子器件一起集成化,具有广泛的应用前景。  相似文献   
5.
高性能自容式下井计的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了基于89C2051单片机、溅射金属薄膜压力传感器、AD7714、DS18B20和AT465D081A研制的高性能自容式下井计,论述了其工作原理、硬件电路设计及系统软件设计。该仪器可广泛应用于测量工作温度-40-85℃,工作压力60MPa以下的各种流体介质的压力。  相似文献   
6.
阐述了利用激光与物质相互作用的热效应实现微系统器件的局部加热键合原理,提出了激光键合塑料芯片和激光辅助加热阳极键合的思想,建立了半导体激光键合实验装置,并实现了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)之间的键合.  相似文献   
7.
低温热致变色VO2薄膜的制备及应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
提出了一种制备低温热致变色VO2新型薄膜材料的工艺方法。在玻璃基底的Si3N4薄膜上溅射沉积VOx薄膜,再经还原性气氛退火,最终得到了nm量级的VO2颗粒。四探针测试电阻温度关系表明,该类材料相变温度已经靠近室温。不同温度下测试的红外透过曲线表明,该材料在相变前后有良好的红外开关特性,能够在智能窗等各类光电产品中获得应用。  相似文献   
8.
介绍了利用硅、熔融石英和聚酰亚胺等材料制作折射和衍射微透镜阵列的工艺和结果,以及这些微透镜阵列分别与红外、可见光图像传感器的集成应用.微透镜与红外256×256PtSiCCD的集成结果表明,微透镜填充系数提高了2.3倍,成像质量明显改善.  相似文献   
9.
用于微测辐射热探测器的纳米VO2薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
用离子束溅射和后退火工艺制备了一种适用于微测辐射热探测器热敏材料的新型纳米结构二氧化钒(VO2)薄膜材料,薄膜具有平均粒度8 nm,在半导体相区具有电阻温度系数(TCR)为-7%/K,性能高于传统的VO2材料(平均粒度为1-2μm,在半导体相区具有TCR约为-2%/K).基于纳米结构的VO2薄膜材料的器件比基于传统的VO2薄膜材料具有更高的性能,而两者的噪声基本相当.  相似文献   
10.
提高CCD图像传感器填充因子的微透镜阵列的研究   总被引:7,自引:4,他引:3  
为了提高可见光CCD图像传感器的探测灵敏度,提出了516×516元石英微透镜阵列的设计方法,并简要介绍了其制作工艺.测量结果表明,所制作的微透镜阵列有优良的表面轮廓、较好的几何尺寸均匀性和光学性能,大幅度地提高了CCD图像传感器的填充因子.  相似文献   
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