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利用电子回旋共振(ECR)微波等离子体,在CH4/H2体系下,对高温高压单晶金刚石表面进行了碳纳米墙修饰。通过等离子体发射光谱研究ECR等离子体内基团的谱线强度在不同工作气压、CH4浓度下的变化规律,结合扫描电子显微镜对单晶金刚石表面的微观形貌进行分析,进一步研究了工作气压和CH4浓度对碳纳米墙修饰结果的影响。结果表明:碳纳米墙的取向性受工作气压影响大,低气压(0.07 Pa)条件下生长的碳纳米墙垂直取向明显,金刚石表面也出现垂直刻蚀形貌;在高气压(5 Pa)条件下生长的碳纳米墙取向性较差。同时,碳纳米墙生长的临界CH4浓度也与工作气压有关:低气压条件下碳纳米墙生长的临界CH4浓度高,工作气压为0.07 Pa时,碳纳米墙生长的临界CH4浓度为3%;工作气压升至5 Pa时,碳纳米墙生长的临界CH4浓度降为1%,碳纳米墙密度随CH4浓度升高而增大。 相似文献
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MP-CVD中CH4浓度对CH4/H2等离子体中基团的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用发射光谱法(OES)诊断了微波等离子体化学气 相沉积(MP-CVD)制备金刚石膜过程中CH4浓度对 CH4/H2等离子 体中基团分布的影响,并利用拉曼光谱对不同CH4浓度下沉积的金刚石膜生长面进行表 征。研究表明:CH4/H2等离子体中存在Hα、Hβ、Hγ、CH、C2基团,且各基团谱线强度随CH4浓度 的增加而增强,其中C2基团的光 谱强度显著增强;CH4/H2等离子体电子温度随CH4浓度的增加而上升;光谱空间诊 断发 现等离子体球中基团 沿径向分布不均匀,随CH4浓度增加,C2和CH基团分布的均匀性显著变差;沉积速率 测试表明,单纯增加CH4浓度不能有效提高金刚石膜的沉积速率;Raman光谱测试结果 表 明,低CH4浓度(0.8%)下沉积出的金刚石膜质量更理想。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备基于染料吸收原理的光纤化学pH传感膜.通过有机掺杂,获得了对溶液pH具有宽范围动态响应的敏感膜.将四乙氧基硅烷和有机硅单体水解后加入pH指示剂,铺成溶胶-凝胶薄膜.该pH传感器的pH感应范围可达到pH3~11,响应速度3 min,一个月稳定性在RSD<18%. 相似文献
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