用氮,氢混合气体保护烧结半导体外壳的工艺探讨

提出了对可伐合金的引线及管基进行预氧化处理，然后在氮、氢混合气体保护下烧结半导体外壳的新方法，并利用正文实验的办法确定了最佳工艺条件。从而提高了外壳的气密性，降低了引线沿玻璃上爬的高度，为消除引线的延迟性断裂创造了条件。     

工艺因素对玻璃与可伐合金浸润性的影响

测定了在不同工艺条件下ＤＭ－３０５及ＢＨ－Ｇ／Ｋ两种玻璃与可伐合金之间的浸润角大小。对浸润角受气氛和金属表面氧化膜成分的影响进行了研究。为合理选择该种玻璃与可伐合金的封接工艺提供了理论依据。关键词     

原位电阻法研究高温器件焊面多层金属膜间的扩散

采用原位电阻法测量了高温器件焊面多层金属膜Ａｕ／Ｔｉ，Ｐｄ／Ｔｉ在３００℃不同气氛下电阻随退火时间的变化，结果表明，３００℃退火时Ａｕ膜中存在Ｔｉ的扩散导致电阻显著增加，但电阻随时间变化与气氛的关系不大，电阻变化的规律基本符合一维有限厚无限大平面体扩散模型，空气中退火时电阻增加小于Ａｒ气氛下退火电阻增加，可用Ａｕ膜中Ｔｉ扩散速率的差异来解释，Ｐｄ／Ｔｉ膜在Ａｒ气氛这火时电阻基本无变化，但空气中退火     

倒装焊中复合SnPb焊点形态模拟

本文给出了倒装焊(flip-chip)焊点形态的能量控制方程,采用Surface Evolver软件模拟了倒装焊复合SnPb焊点(高Pb焊料凸点,共晶SnPb焊料焊点)的三维形态.利用焊点形态模拟的数据,分析了芯片和基板之间SnPb焊点的高度与焊点设计和焊接工艺参数的关系.研究表明:共晶SnPb焊料量存在临界值,当共晶SnPb焊料量小于临界值时,焊点的高度等于芯片上高Pb焊料凸点的半径值;当共晶SnPb焊料量大于临界值时,焊点的高度随共晶SnPb焊料量的增加而增加.另外,采用无量纲的形式给出了焊点高度与共晶焊料量、焊盘尺寸、芯片凸点的尺寸,芯片重量之间的关系模型,研究结果对倒装焊焊点形态的控制、工艺参数的优化和提高焊点可靠性具有指导意义.     

工艺因素对玻璃可与伐合金浸润性的影响

测定了在不同工艺条件下ＤＭ－３０５及ＢＨ－Ｇ／Ｋ两种玻璃可与伐合金之间的浸润角大小。对浸润角受气氛和金属表面氧化膜成分的影响进行了研究。为合理选择该种玻璃与可伐合金的封接工艺提供了理论依据。     

提高金属——玻璃封装集成电路外壳的可靠性途径

本文简单地介绍了金属－－玻璃封装的集成电路外壳的两种失效原因－－“断腿”和慢性漏气的机理，在此基础上，结合本研究小组的工作实践，从原材料的预备，封装外壳的生产工艺及其使用等三方面提出了一些提高金属－－玻璃封装的集成电路外壳可靠性的方法。     

Ni对Sn96.5Ag3.5/Cu之间扩散行为的阻挡作用

研究了电镀Ｎｉ层和化学镀Ｎｉ－Ｐ合金层对Ｓｎ－Ａｇ／Ｃｕ焊点扩散行为的影响,电子探针分析表明,化学镀Ｎｉ－Ｐ合金层能很好地阻止Ｓｎ－Ａｇ／Ｃｕ焊点在焊接过程中的ＣｕＳｎ互扩散和相互反应;而电镀Ｎｉ层则不能阻止Ｓｎ－Ａｇ／Ｃｕ焊点过程中的Ｃｕ,Ｓｎ互搁工用和相互反应,界面反应产物以Ｃｕ６Ｓｎ５为主。应用化学镀Ｎｉ－Ｐ合金作为Ｓｎ－Ａｇ／Ｃｕ之间的扩散阻挡层可大大减少Ｓｎ／Ｃｕ金属间化合物的生成,有得     

复合SnPb焊点的形态与可靠性预测

建立了复合焊点形态的能量控制方程,采用Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｖｏｌｖｅｒ软件模拟了复合ＳｎＰｂ焊点的形态,利用复合ＳｎＰｂ焊点形态的计算结果。采用统一型粘塑性Ａｎａｎｄ本构方程描述复合焊点Ｐｂ９０Ｓｎ１８和Ｓｎ６０Ｐｂ４０的粘塑性力学行为。采用非线性有限元方法分析复合ＳｎＰｂ焊点在热循环条件下的应力应变过程,基于Ｃｏｆｆｉｎ－Ｍａｎｓｏｎ经验方程预测焊点的热循环寿命,考察焊点形态对焊点可靠性的影响,研