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1.
在500℃下热暴露100h以上时,K_2O·8TiO_2晶须与ZL109铝基体金属发生界面反应生成了新相Ti_7Al_5Si_(12),随着热暴露时间的延长,反应产物增多,热循环比热暴露更明显地促进了界面反应。在所有的状态下,这种晶须与基体之间都存在TiO过渡层。  相似文献   
2.
K_2O·8TiO_2(W)/ZL109复合材料在500℃下热暴露20h后高温强度最高,热暴露时间超过20h,随着热暴露时间的延长,其高温强度逐渐下降。界面反应是导致其高温强度下降的原因。  相似文献   
3.
反常色散原子滤光器斜入射机理及特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文首次对反常色散原子滤光器在斜入射(0~π/2)条件下的透过率、带宽和频移等特性进行了理论研究;本文还进行了斜入射的滤光器透射谱实验研究,与理论分析符合较好;这些为原子滤光器在卫星及空间光通信领域的宽视场角接收方案奠定了基础,该方案有利于空间瞄准及捕捉.  相似文献   
4.
采用粉末冶金法在较高的温度下制备了SiC,Si_3N_4和Al_(18)B_4O_(33)晶须增强Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si耐热铝合金复合材料,山于采用不含Mg的基体避免了Al_(18)B_4O_(33)晶须界面上出现界面反应和Si_3N_4,SiC晶须界面上出现的界面生成物,所以所有晶须界面都是清洁的.加入晶须可以明显提高材料的强度和模量,三种晶须的增强效果依次为SiC,Si_3N_4和Al_(18)B_4O_(33).这类复合材料的强度随温度的升高呈线性下降,其使用温度可比SiC_w/2024Al复合材料提高50-100℃  相似文献   
5.
在500℃下热暴露100h以上时,K_2O·8TiO_2晶须与ZL109铝基体金属发生界面反应生成了新相Ti_7Al_5Si_(12),随着热暴露时间的延长,反应产物增多,热循环比热暴露更明显地促进了界面反应。在所有的状态下,这种晶须与基体之间都存在TiO过渡层。  相似文献   
6.
采用反应烧结方法,利用TiO2,Al和B粉末间的放热反应在较低的温度下制备Al2O3-TiB2复相陶瓷和原位生长Al2O3和TiB2弥散粒子增强Al复合材料Al2O3-TiB2复相陶瓷是密度ρ~0.8的多孔体,由尺寸约10μm的生长单元构成晶粒,在陶瓷中还含有少量的Al3Ti.Al基复合材料中原位形成的Al2O3和TiB2粒子尺寸小于2μm,在基体中呈现均匀分布,没有发现Al3Ti生成.这种原位Al基复合材料具有优于SiCw/Al复合材料的强度.  相似文献   
7.
采用低压气相辅助溶液法制备MA3Bi2I9钙钛矿太阳电池,制备了晶粒大小为300 nm,表面致密且粗糙低的MA3Bi2I9钙钛矿薄膜,其吸收边位置在598 nm,光学吸收带隙为2.07 eV.还通过对一步溶液法、两步溶液法和低压气相辅助溶液法3种方法制备的MA3Bi2I9钙钛矿太阳电池进行对比发现,与其他2种方法制备的...  相似文献   
8.
本文对原位生长Al_4C_3与外加SiC颗粒混杂增强Al(Al_4C_3·SiC/Al)和原位生长Al_2O_3、TiB_2颗粒混杂增强Al(Al_2O_3·TiB_2/Al)两种复合材料的界面、微观结构和性能进行了研究。原位生长陶瓷相在基体中呈均匀分布。Al_2O_3和TIB_2为尺寸10nm~2μm的颗粒,Al_4C_3为长度0.2μm,直径0.02μm的棒状单晶体。原位陶瓷相和Al基体之间的界面是清洁的,不存在中间过渡层。Al_4C_3和Al之间可存在的取向关系.Al_2O_3和TiB_2粒子与Al之间不存在取向关系。两种复合材料都表现出优于SiC_w/Al复合材料的强度。  相似文献   
9.
不同热循环下K_2O·8TiO_2/ZL109Al复合材料的相分析李吉红,宁小光,叶恒强,沈保罗(中国科学院固体原子像开放研究实验室,沈阳110015)(成都科大)本文所用K_2O-8TiO_2晶须增强/ZL109Al复合材料是挤压铸造法制备的。基体...  相似文献   
10.
TiO2—Al—B系反应烧结制备的复相陶瓷和原位Al基复合材料   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用反应烧结方法,利用TiO2,Al和B粉末间的放热反应的较低的温度下制备Al2O3-TiB2复相陶瓷和原位生长Al2O3和TiB2弥散粒子增强Al复合,Al2O3-TiB2复相陶瓷是密度ρ-0.8的多孔体,由尺寸小于2μm,在基体中呈现均匀分布,没有发现Al3Ti生成,这种原位Al基复合材料具有优于SiCw/Al复合材料的强度。  相似文献   
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