排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
采用化学溶液法合成了不同稀土离子(Nd3+、Y3+、Eu3+)掺杂的BiVO4纳米晶。利用X射线衍射分析、扫描电子显微分析、能量色散X射线光谱、Fourier红外光谱、Raman光谱、紫外-可见光漫反射光谱以及荧光光谱研究了样品的物相、晶体结构、成分、形貌、局部结构、表面化学和光谱性质。结果表明:不同离子掺杂的BiVO4样品尺寸处于纳米尺度,不同离子掺杂的BiVO4纳米晶具有四方相晶体结构,这些纳米晶呈现出清晰的轮廓及规则的形貌,表明得到的纳米晶具有较好的结晶性能,且表现出一定程度的晶格畸变。在247、367、763、855 cm-1附近出现的掺杂BiVO4纳米晶的拉曼峰,与四方相BiVO4结构的振动频率相吻合。紫外-可见光漫反射光谱表明,随着掺杂离子的引入,BiVO4纳米晶样品内部电子结构发生了变化,BiVO4、Eu:BiVO4 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
采用化学溶液沉积技术,在单晶硅衬底上制备了钼酸锶多晶薄膜;利用XRD和SEM分析了薄膜的晶相和形貌;系统研究了化学溶液沉积制备钼酸锶多晶薄膜中的工艺参数,包括化学溶液的组成(醇、酸的含量)、溶液浓度、热处理工艺以及采用不同的锶盐等,对钼酸锶薄膜生长的影响。研究结果表明,采用化学溶液沉积技术制备的钼酸锶多晶薄膜均具有单一的四方相结构;除溶液中的醇含量之外,所讨论的工艺参数对薄膜的相结构、形貌、显露晶面等均会带来一定的影响;优化工艺参数、控制工艺规范对于获得结构致密、晶粒发育良好的钼酸锶薄膜是非常重要的。 相似文献
7.
利用硫代乙醇酸作为稳定剂在水相中合成了Fe:ZnSe/ZnS核/壳结构半导体纳米晶,研究了表面修饰层(壳层)厚度对产物光学性能的影响。XRD和UV-Vis吸收谱表明,合成的半导体纳米晶为核壳纳米晶,呈立方闪锌矿结构。TEM结果表明,产物分散性较好,尺寸均一,呈球形。PL结果表明,适当厚度的ZnS壳层能有效钝化Fe:ZnSe纳米晶表面的非辐射复合位点,当壳层过厚时,ZnS壳层产生的非辐射复合缺陷会导致PL强度下降。 相似文献
8.
9.
当前,大部分支持IP的卫星系统只是提供了一个连接地面路由器的物理通道,难以满足带宽接入、多媒体服务以及星地网络一体化等新的需求.为此,提出了一个分组传输和交换均基于IP的GEO卫星系统,采用三层路由交换的组网方案,实现了同一交换域内用户信息的链路层快速转发,以及不同交换域间用户IP信息的网络层路由交换处理.最后,研究了最简单的RIP路由协议在此GEO卫星网络中的适应性,利用OPNET仿真软件对其进行了建模仿真及结果分析. 相似文献
10.
廖蕊黄鹤燕李园利潘小琴郭宝刚李同彩张行泉刘海峰谢瑞士 《硅酸盐学报》2020,(5):739-744
采用化学溶液法合成了不同稀土离子(Nd3+、Y3+、Eu3+)掺杂的BiVO4纳米晶。利用X射线衍射分析、扫描电子显微分析、能量色散X射线光谱、Fourier红外光谱、Raman光谱、紫外‒可见光漫反射光谱以及荧光光谱研究了样品的物相、晶体结构、成分、形貌、局部结构、表面化学和光谱性质。结果表明:不同离子掺杂的BiVO4样品尺寸处于纳米尺度,不同离子掺杂的BiVO4纳米晶具有四方相晶体结构,这些纳米晶呈现出清晰的轮廓及规则的形貌,表明得到的纳米晶具有较好的结晶性能,且表现出一定程度的晶格畸变。在247、367、763、855 cm−1附近出现的掺杂BiVO4纳米晶的拉曼峰,与四方相BiVO4结构的振动频率相吻合。紫外‒可见光漫反射光谱表明,随着掺杂离子的引入,BiVO4纳米晶样品内部电子结构发生了变化,BiVO4、Eu:BiVO4、Y:BiVO4和Nd:BiVO4纳米晶的禁带宽度,分别为2.50、2.74、2.90、2.94 eV,说明通过掺杂不同离子可以调控半导体纳米晶的禁带宽度。光致发光谱表明,Eu:BiVO4纳米晶的发光峰具有最低的强度,说明Eu:BiVO4纳米晶具有最低的电子空穴复合效率,暗示该纳米晶具有较高的光催化活性。Y:BiVO4纳米晶的发光峰强度最高,表明该半导体纳米晶的电子空穴复合效率最高。 相似文献
1