铝/钛异种金属填丝电子束熔钎焊接头组织与性能

采用填丝电子束熔钎焊对TA2纯钛和1060纯铝进行了焊接试验,分别对接头显微组织、相组成、抗拉强度和显微硬度进行了分析. 结果表明,采用填丝电子束熔钎焊可以实现纯钛与纯铝的有效连接,接头抗拉强度为98.8 MPa,达到铝母材的96.7%. 接头呈现典型的熔钎焊特征,由钛侧钎焊接头及铝侧熔焊接头组成. 熔钎焊界面存在Ti-Al金属间化合物层,其厚度小于2 μm,未对接头性能强度产生影响. 铝侧熔化区内存在散布的金属间化合物起到一定强化作用,显微硬度最低值位于铝侧热影响区内,拉伸断裂于该区域.     

IGCT及IGCT变频器

IGCT是一种在大功率开关器件GTO基础上改进而成的新型电力电子器件.和GTO相比,IGCT的关断时间降低了30%,功耗降低40%.它是一种不需要吸收电路的开关器件,可以像晶闸管一样导通,像IGBT一样关断,并且具有很低的功率损耗.IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一根光纤上就可以控制它的开通和关断.由于IGCT设计理想,使得IGCT的开通损耗可以忽略不计,再加上它的低导通损耗,使得它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行.IGCT可望迅速取代GTO,成为高压变频器的首选器件.     

功率MOSFET在中小功率电机调速中的应用

1引　言功率MOSFET是单极性载流子晶体管,与双极型器件表现出很大不同的特性。由于功率MOSFET没有积蓄载流子现象,所以具有较高的增益和极快的开关速度。解决了高电流、大电压的问题,它的出现,使MOS器件从小功率进入了大功率范围。目前生产的功率MOSFET多数为N沟道增强型,N沟道     

IGCT及IGCT变频器

IGCT是一种在大功率开关器件GTO基础上改进而成的新型电力电子器件。和GTO相比,IGCT的关断时间降低了30%,功耗降低40%。它是一种不需要吸收电路的开关器件,可以像晶闸管一样导通,像IGBT一样关断,并且具有很低的功率损耗。IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一根光纤上就可以控制它的开通和关断。由于IGCT设计理想,使得IGCT的开通损耗可以忽略不计,再加上它的低导通损耗,使得它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行。IGCT可望迅速取代GTO,成为高压变频器的首选器件。     

数值模拟技术在电子束焊接中的应用现状

概括总结了近几年数值模拟技术在电子束焊接方面的应用,从应力场、温度场、磁场以及焊接过程等几个方面总结了数值模拟技术发挥的作用,并认为数值模拟技术在电子束焊接模拟方面可以发挥更大的作用。