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利用高频磁场制备自生梯度复合材料的熔体温度选择 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了通过在熔体凝固过程中的不同温度范围施加高频磁场制备自生梯度复合材料的工艺.对于Al/Mg2Si/Si自生梯度复合材料,近似计算及实验结果表明:Al Mg2Si二元共晶区(555~595C)是施加高频磁场的最佳温度范围,此时处于低粘性熔体中的增强颗粒容易被外加电磁阿基米德力分离.高频磁场施加温度过高或过低,均不易使增强颗粒产生梯度分布效果. 相似文献
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自生Mg2Si颗粒增强Al基复合材料的组织细化 总被引:10,自引:0,他引:10
研究了Sr以及Ce-Sr复合添加剂对Al/Mg2Si/Si自生复合材料凝固组织的影响规律.当Ce、Sr的加入量分别为1.0%和0.7%(质量分数)时,Mg2Si增强体以细小短棒状形态出现,其平均粒径为12μm,这比未经细化处理的Mg2Si增强体的平均粒径降低52%.同时,单位面积Mg2Si晶粒平均数量为未经细化处理时的4~6倍.单独加入Sr时,复合材料的组织细化则不如Ce-Sr复合处理时的稳定.对相关机制的研究表明,上述细化元素对Mg、Si原子在合金熔体中扩散的不同程度的抑制是微观组织得以细化的根本原因. 相似文献
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