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提升真空断路器CuCr触头的抗电弧烧蚀能力是决定其能否应用于高压真空灭弧室的核心关键,尚未见有效触头材料或表面涂层改性技术使CuCr触头应用于126kV以上真空灭弧室的报道。基于CuCrMo薄膜的优异电气性能,对沉积CuCrMo薄膜的真空灭弧室触头进行126kV下的抗电弧烧蚀研究,并进行开断寿命的工程验证。采用磁控溅射技术在CuCr50真空触头片表面沉积5μm厚的CuCrMo薄膜,对其进行126kV 20kA电流下23次的电寿命试验。利用XRD、SEM和3D共聚焦显微镜研究电弧烧蚀后表面形貌。研究结果表明：沉积CuCrMo薄膜的触头片,在纵向磁场和126kV 20kA条件下可有效分散电弧,较未镀膜触头片有更小电弧电流密度;经过23次电寿命试验后,表面烧蚀程度比未镀膜的触头片轻,表面粗糙度降低,提高了触头的开断寿命。为表面改性真空断路器CuCr触头在高电压大电流真空灭弧室的应用提供了有效工程依据。 相似文献
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采用X射线结合全谱拟合,对共沉淀纳米YSZ制备过程中的晶体结构演变进行了分析。结果表明,四方纳米YSZ的含量与锻烧温度有关;在低锻烧温度下生成的四方纳米YSZ具有错乱的晶格,其晶格参数随锻烧温度的升高而变化,经1200 ℃锻烧后恢复;四方纳米YSZ的晶粒尺寸随锻烧温度的升高先减小后增大。同时探讨了晶格参数变化的原因并计算了四方纳米YSZ晶粒生长的激活能。 相似文献
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氧化锆空心球粉体制备及其涂层性能研究进展 总被引：1，自引：0，他引：1
粉体是决定等离子喷涂热障涂层性能的基本因素,本文主要介绍了高性能等离子喷涂热障涂层用氧化锆空心球粉体的制备方法及其涂层性能的相关研究。等离子球化和喷雾干燥造粒是制备氧化锆空心球粉体的两种不同方法;氧化锆空心粉体在等离子喷涂过程中更易熔化,并且在熔化后形成空心液滴;空心液滴与基体碰撞铺展过程中存在的"反溅"使其铺展凝固时间更长,形成的扁平粒子直径小,厚度均匀,缺陷少;相对于其它类型粉体,采用氧化锆空心球粉体制备的热障涂层具有适中的孔隙率,低热导率和低模量,抗高温烧结,符合高性能热障涂层的性能要求。 相似文献
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对水热法制备的纳米氧化锆在不同温度和保温时间条件下进行了煅烧,采用X射线结合全谱模型方法分析了晶粒尺寸和晶粒尺寸分布的变化。结果表明,当煅烧温度在300℃时,纳米氧化锆晶粒开始生长并伴随着晶粒尺寸分布宽化。纳米氧化锆的晶粒生长速率及晶粒尺寸分布与煅烧温度和保温时间有关。根据分析结果,计算了晶粒生长指数和晶粒生长活化能。讨论了晶粒生长机理,晶粒旋转合并是纳米氧化锆晶粒生长的主要方式。 相似文献
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1 ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＶａｒｉｏｕｓｃｏａｔｉｎｇｓｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ ,ｓｕｃｈａｓＰＶＤ ,ＣＶＤ ,ＰＣＶＤ ,ＩＢＥＤａｎｄＰＳＩＩｈａｖｅｂｅｅｎｕｓｅｄｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｗｅａｒ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ,ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅａｓｗｅｌｌａｓｅｌｅｖａｔｅｄａｎｔｉ ｏｘｉｄａｔｉｏｎｂｅｈａｖｉｏｒｏｆｓｕｒｆａｃｅｏｆｓｔｅｅｌｓ ,ｆｏｒｉｎｓｔａｎｃｅ ,ｃｕｔｔｉｎｇｔｏｏｌｏｒｄｉｅｓｔｅｅｌｓａｎｄｎｏｎ ｆｅｒｒｏｕｓｍｅｔａｌｓｉｎ… 相似文献
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接触应力是引发金属构件形变与失效的重要来源之一。为了理解材料的力学行为与失效机制,研究者对接触条件下位错的产生与运动开展了大量研究。然而由于实验技术的限制,对接触初期塑性变形机理的认识仍较为薄弱。近年来得益于原位表征和高测试精度的优点,仪器化纳米压入技术被陆续地应用于研究材料接触初期变形行为,尤其针对面心立方结构(FCC)的金属材料,结合模拟分析与微观表征,大大促进了对相关位错行为的理解。因此,在简要介绍仪器化纳米压入技术的特点、模型及应用的基础之上,首先,介绍了纳米压入接触初期载荷-位移曲线的突变现象,讨论了其与位错行为的关系;其次,重点以面心立方金属材料为对象,从位错萌生和位错运动与反应两个方面分别介绍了二者与突变现象的关系,并结合文献报道,详细讨论了压入过程位错萌生的影响因素,以及位错运动与反应机制;最后,进行了总结和展望,提出借助多种先进实验和模拟方法的交叉使用,将有助于揭示接触条件下的位错行为,从而为仪器化纳米压入技术的发展和理解接触条件下金属材料的变形与失效提供理论基础。 相似文献
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