我国胶鞋行业的发展现状及今后发展建议(一)

1胶鞋行业发展现状1.1基本情况我国胶鞋行业在改革开放中,随着经济全球化,世界制鞋生产的大转移,凭借制造加工业中资源禀赋的比较优势,在“十五”期间抓住入世的有利机遇得到快速发展,特别是近两年来,经受了以橡胶为主的原材料大幅度涨价和煤、电、油、运紧张等巨大困难的考验,经济效益止跌回升,生产持续增长,已成为胶鞋第一生产和出口大国。根据相关资料报道和调查测算,目前我国鞋类产品年产量高达80亿双,占世界鞋类消费总量124.6亿双(英国SATRA研究中心2002年公布资料)的64%,是世界最大的制鞋生产国,其中皮鞋年产量为27~28亿双,胶鞋(包…     

地下室外墙单面模板支撑施工设计

在地下室中模板只能单面支撑时,介绍了外墙内侧单面模板支撑体系,既确保混凝土垂直度满足规范要求,又省工、省科,且不影响施工进度的施工方案.     

胶鞋行业市场预测及投资建议(一)

我国胶鞋行业随着经济全球化和世界制鞋产业的大转移,凭借制造加工业资源禀赋的比较优势和我国的巨大市场潜力,抓住入世的机遇得到了快速发展,已成为世界胶鞋第一生产和出口大国。1生产与需求发展预测1.1相关行业发展对胶鞋产品的新要求胶鞋作为制造业中劳动密集型加工产业和属于人们直接日用消费市场竞争性的产品,其发展取决于产业自身的发展规律和市场经济规律的影响。1.1.1国外胶鞋产业发展趋势和特点综观世界制鞋产业的发展轨迹,按照市场经济资源优化配置的取向和优胜劣汰的规律,其生产重心总是向机会成本更低的国家和地区转移与聚集。…     

磐安水电热

1994年,浙江省磐安县通过了省政府组织的电气化建设验收,提前一年跨入了全国第二批农村初级电气化县的行列。达了标,磐安县没有松劲,而是百尺竿头,更进一步。1995年,磐安的小水电资源开发又势头强劲,捷报频传。到7月,该县有史以来最大的水电建设项目——五丈岩三级电站与外商联合开发已签订协议;马蹄坑二级电站建     

Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及光学带隙研究

用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Al掺杂Mg2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响,XRD结果表明随着Al掺杂量的增加, Mg2Si衍射峰先增强后减弱. SEM及AFM的结果表明随掺杂量的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,粗糙度先增加后降低.得到掺杂后薄膜间接跃迁带隙范围为0.423～0.495 eV,直接跃迁带隙范围为0.72～0.748 eV,掺杂前薄膜间接跃迁带隙和直接跃迁带隙分别为0.53 eV、0.833 eV.     

关于换算系数（K）计算公式的讨论

换算系数（Ｋ）的公式是否合理，直接影响出窿矿石铀含量的分析质量和矿石的分选质量。本文对换算系数（Ｋ）计算公式进行了讨论。     

Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响

采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜.首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4h制备一系列Mg2Si半导体薄膜.采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响.结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si (220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si (220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52 μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度.最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响.     

模具通道交角对ML35钢高强紧固件前驱物等径转角加工的影响

利用有限元分析与实验相结合研究了模具通道交角对ML35钢高强紧固件前驱物等径转角加工载荷、应力、应变及加工生热的影响,研究结果表明,加工载荷不仅使材料获得纯剪切变形,而且其中一部分载荷功转化成热使材料升温,实验实测与有限元分析得到最大加工载荷为53 kN (模具通道外交角φ=30°),温升区主要位于模具通道拐角处(即主变形区内),最高温升至106℃,随φ角以30°递增,主变形区应力场三角形轮廓演变成近似平行四边形,φ角的增大促进了材料流变行为,但是沿挤出方向应变分布规律并没有随φ角的增加出现明显变化,均呈近似正态分布特征。经过等径转角加工的螺钉紧固件,在几何形状近似不变的条件下,强度由559 MPa提升至976 MPa。     

我国胶鞋行业2004年和2005年的发展预测

我国胶鞋行业2004年和2005年的发展预测     

溅射时间对于Mg_2Si/Si异质结的影响

采用射频磁控溅射沉积并结合热处理制备Mg2Si/Si异质结,研究了溅射时间对Mg2Si/Si异质结的结构以及电阻率的影响。首先在P型Si衬底沉积不同厚度的Mg膜,然后进行低真空热处理,制备不同厚度的Mg2Si/Si异质结。通过XRD、SEM对Mg2Si/Si异质结中Mg2Si的晶体结构、异质结表面和剖面形貌进行分析,结果表明:制备了单一相Mg2Si薄膜,Mg2Si(220)衍射峰最强,异质结界面平整。通过四探针仪测量电阻率进行分析,发现电阻率随Mg2Si膜厚的增加而减小。