对二位六通事故配压阀油路切换的探讨

通过对平班水电站两种不同油路切换方式的事故配压阀的结构分析以及在极端情况下两种不同油路切换方式所造成的影响,探讨了两种不同油路切换方式的事故配压阀的优劣。     

GSK218M加工中心数控系统新产品介绍--广州数控设备有限公司市场部 杨光安

GSK218M加工中心数控系统是广州数控设备有限公司自主研发的普及型数控系统,适配加工中心、数控铣床、数控钻床等机床。系统采用32位高性能的CPU和超大规模可编程器件FPGA,实时控制和硬件插补技术保证了系统μm级精度下的高效率。系统标准配置为4轴3联动,旋转轴可由参数设定,可选配4轴4联动,系统最高定位速度30m／min,最高进给速度15m／min。     

基于SOI工艺的二极管瞬时剂量率效应数值模拟

为研究SOI MOS器件中寄生PN二极管在瞬时剂量率辐射下产生的光电流效应,采用TCAD工具,对0.13 μm SOI工艺的PN二极管进行建模,数值模拟了二极管光电流变化与不同瞬态γ剂量率辐照之间的关系.通过模拟PN+型、P+N型两种二极管结构在不同偏置电压、不同剂量率辐射下的抗瞬时剂量率辐射能力,可以得出当瞬时剂量率...     

GSK218M加工中心数控系统新产品介绍

GSK218M加工中心数控系统是广州数控设备有限公司自主研发的普及型数控系统,适配加工中心、数控铣床、数控钻床等机床.     

深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟

为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10~8～1×10~(10) (Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出,γ剂量率在小于5×10~9 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力,为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。     

GSK218M加工中心数控系统新产品介绍——广州数控设备有限公司市场部

GSK218M加工中心数控系统是广州数控设备有限公司自主研发的普及型数控系统,适配加工中心、数控铣床、数控钻床等机床。系统采用32位高性能的CPU和超大规模可编程器件FPGA,实时控制和硬件插补技术保证了系统μm级精度下的高效率。系统标准配置为4轴3联动,旋转轴可由参数设定,可选配4轴4联动,系统最高定位速度30m／min,最高进给速度15m／min。