错排型重力式炭素煅后焦余热回收蒸发器的传热模拟

采用Fluent软件对错排型重力式高温炭素煅后焦余热回收蒸发器内的传热过程进行了数值模拟,研究了煅后焦的降温过程温度分布、管排数与出焦速度对出焦温度与余热回收效率的影响。结果表明:煅后焦最初进入换热器时,同一流层断面的温度分布具有明显的不均匀型,但随着流动的进行,该温差随之减小;随着锻后焦流速的降低与换热管排数的增加,煅后焦出口温度降低,余热回收效率增加。     

Simulation of electrical properties of InxAl1-xN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure

Electrical properties of In_x Al_1-xN/AlN/GaN structure are investigated by solving coupled Schr（o|¨）dinger and Poisson equations self-consistently.The variations in internal polarizations in In_xAl_1-xN with indium contents are studied and the total polarization is zero when the indium content is 0.41.Our calculations show that the twodimensional electron gas（2DEG） sheet density will decrease with increasing indium content.There is a critical thickness for AIN.The 2DEG sheet density will increase with In_xAl_1-xN thickness when the AIN thickness is less than the critical value.However,once the AIN thickness becomes greater than the critical value,the 2DEG sheet density will decrease with increasing barrier thickness.The critical value of AIN is 2.8 nm for the lattice-matched In_0.18Al_0.82N/AlN/GaN structure.Our calculations also show that the critical value decreases with increasing indium content.     

基于Deform-3D的支柱锻造工艺分析

支柱是铁路货车制动系统中的关键零部件,影响着铁路货车的运行品质和行车安全。利用Deform-3D模拟软件对支柱进行数值模拟,对成形过程的速度场、温度场、应力场、应变场及打击力进行了分析,揭示了支柱锻造过程的成形规律,成形效果良好,验证了锻造方案、模具设计及设备选型的合理性,最终应用到了实际生产中。     

电视机常温正偏开关老化及其意义

本文提出了目前电视机厂正在讨论的一个工艺性问题,即如何进行电视机的出厂前老化,提高产品的可靠性。文章在理论上解释了“常温、正偏、开关老化要比目前采用的“高温老化”要好,这一方法已在日本成功应用,其经济效益是不言而喻的。问题提出来了,需要大家在实践中加以总结提高,因此我们认为,这篇文章能提出这样一个问题,从而去研究,这是值得提倡的。     

基于SCS-500E安控装置无故障跳闸判据的改进

安全稳定控制装置作为电力系统安全稳定的有力防线,广泛地应用于各大区域电网及重要水电输出通道,其对故障的判断是否正确直接影响到整个区域电网的安全可靠稳定运行。针对一次安控装置在线路无故障时的一次误判,提出一种电流变化量闭锁条件,可以有效地避免安控装置在无开关位置开入的条件下因其他线路功率大幅改变而对本线路造成线路无故障跳闸的误判,并通过现场实例进行模拟验证,该电流变化量闭锁判据能有效地避免安控装置在特殊条件下的误判。     

InxAl1-xN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管的电学特性

通过自洽求解薛定谔和泊松方程研究了In_xAl_1-xN/AlN/GaN结构的电学特性。通过研究In_xAl_1-xN内部极化效应随铟组分的变化发现,当铟组分为0.41时,总的极化效应为零。通过计算发现,二维电子气密度随着铟组分的增加而减小。对于AlN的厚度存在一个临界值：当AlN的厚度小于临界值时,二维电子气密度随着In_xAl_1-xN厚度的增加而增加;然而,当AlN的厚度大于临界值时,二维电子气密度随着In_xAl_1-xN厚度的增加而减少。对于晶格匹配的In_0.18Al_0.82N/AlN/GaN结构,AlN的厚度临界值为2.8nm。通过计算还发现,AlN厚度临界值随着铟组分的增加而减少。