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本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3e9cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3e9cm 相似文献
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用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6~ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)的影响 相似文献
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研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响.研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素.去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子.对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品,X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高.GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较.研究也表明使用的磁场强度越强,样品的光学质量提高越明显. 相似文献
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分子束外延生长高应变单量子阱激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
采用分子束外延方法研究了高应变 In Ga As/Ga As量子阱的生长技术 .将 In Ga As/Ga As量子阱的室温光致发光波长拓展至 116 0 nm,其光致发光峰半峰宽只有 2 2 me V.研制出 112 0 nm室温连续工作的 In Ga As/Ga As单量子阱激光器 .对于 10 0 μm条宽和 80 0 μm腔长的激光器 ,最大线性输出功率达到 2 0 0 m W,斜率效率达到 0 .84m W/m A,最低阈值电流密度为 45 0 A/cm2 ,特征温度达到 90 K. 相似文献
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MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究.已得到77K温度下迁移率为16.2e4cm2/(V·s)的GaAs材料.样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1e13cm-3<n<1e15cm-3)内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会抑制Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度Na/Nd之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率. 相似文献
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采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行了优化,在生长温度为370℃,磷裂解温度为850℃,生长速率为0.791μm/h和束流比为2.5的条件下,获得了厚度为2.35μm的InP/InP外延材料.在77K温度下,电子浓度为1.55×1015cm-3,电子迁移率达到4.57×104cm2/(V·s). 相似文献
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研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和 Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响 .研究表明离子损伤是影响 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱质量的关键因素 .去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子 .对于使用去离子磁场生长的 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱样品 ,X射线衍射测量和 PL 谱测量都表明样品的质量被显著地提高 .Ga In As量子阱的 PL 强度已经提高到可以和同样条件下生长的 Ga In As量子阱相比较 .研究也表明使用的磁场强度越强 ,样品的光学质量提高越明显 相似文献